[发明专利]考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法在审
申请号: | 201710303326.5 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN107423474A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 江晓锋;郭亚勋;刘刚 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 罗观祥 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 考虑 真空 断路器 击穿 特性 建模 仿真 方法 | ||
1.一种考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述建模与仿真方法包括下列步骤:
S1、将真空断路器等效为带并联支路的可控电阻,其并联支路为电阻、电感、电容或这三者的任意组合、任意连接方式;
S2、建立真空断路器触头间介质绝缘强度模型,确定断路器合闸过程中的触头间介质绝缘强度与时间之间的函数关系;
S3、建立真空断路器的高频电流熄灭能力模型,确定描述高频电流熄灭的要素为高频电流持续时间和高频电流过零时的电流导数,及其需要满足的条件;
S4、将真空断路器可能具有的状态划分为4个:合闸前、暂态恢复电压过程、高频电流持续过程和完全合闸,并确定各状态间的相互转换关系,其中,合闸前记为状态1,暂态恢复电压过程记为状态2,高频电流持续过程记为状态3,完全合闸记为状态4;
S5、通过建模实现对可控电阻阻值的控制,进行仿真。
2.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述可控电阻的阻值可以通过编程与仿真软件交互,可以在仿真过程中随仿真时间而改变,具体大小由程序输出所控制。
3.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述并联支路上的电阻、电感、电容值均为固定值。
4.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述断路器合闸过程中的触头间介质绝缘强度与时间之间的函数关系应满足介质绝缘强度随着时间的增加而单调递减,最后等于0。
5.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述高频电流熄灭需要满足的条件为:高频电流需持续一定时间以上,高频电流过零时的电流导数小于某常数,且该常数的取值范围为1×105kA/s~10×105kA/s。
6.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述各状态间的相互转换关系包括:
在真空断路器没有收到合闸命令前的状态一直保持为状态1,收到合闸命令后的第一次电压Vbrk大于介质绝缘强度时状态由状态1转换为状态3,其中,Vbrk指可控电阻两端的电压差。
7.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述各状态间的相互转换关系包括:
状态3转换为状态2的条件为:通过可控电阻的电流满足高频电流熄灭条件。
8.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述各状态间的相互转换关系包括:
状态2转换为状态3的条件为:可控电阻两端的电压差Vbrk大于或等于介质绝缘强度。
9.根据权利要求1所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,所述可控电阻在各状态中的表达式如下:
状态1:R=1MΩ;
状态2:R=1MΩ;
状态3:
状态4:R=0。
10.根据权利要求8所述的考虑真空断路器预击穿特性的建模与仿真方法,其特征在于,合闸开始后,所述介质绝缘强度按如下方程计算:
U=TRVlim-A(t-tclose)-B
其中,TRVlim为真空断路器绝缘强度能承受的最大值,A、B为计算系数,t为仿真时间,tclose是合闸开始时的时间,TRVlim的计算方式如下:
其中,kaf为振幅系数,kpp为首开极系数,Emag是断路器额定电压。
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