[发明专利]一种电子型的法布里-珀罗干涉器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710302311.7 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN108807519B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 朱玉莹;刘广同 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人: 范晓斌;康正德
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子 法布里 干涉 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电子型的法布里-珀罗干涉器件,包括用于探测边缘态的干涉信号的测量单元以及独立设置于样品的预设区域处的表征单元,所述表征单元用于表征样品的特性,其中,所述测量单元包括:

样品,为异质结材料,在预设区域内具有平整的上表面,所述样品具有导电层;

第一导电通道,通过刻蚀所述样品形成在所述预设区域内并具有预定的霍尔条形状,与所述样品为一体式结构,用于导通电流,所述第一导电通道的图案为长方形;

多个欧姆接触,与所述样品相接触,分布于所述第一导电通道的周围,用于作为导电电极,所述多个欧姆接触分为第一组欧姆接触和第二组欧姆接触,所述第一组欧姆接触中包含四个所述欧姆接触,为第一至第四欧姆接触,分别连接于所述第一导电通道的长方形图案的四个顶点并与所述导电层相接触,所述第二组欧姆接触中包含六个所述欧姆接触,为第五至第十欧姆接触,对称分布于所述第一导电通道的长方形图案中相对的两侧且不与所述导电通道相连;和

三对顶门结构,位于所述第一导电通道上表面中心处,分别与所述第五至第十欧姆接触相连,是形成干涉器件的核心部分,用于产生周期性的干涉振荡,改变所述样品的特性;

所述表征单元包括:

第二导电通道,与所述样品为一体式结构,通过刻蚀所述样品制成,独立于所述第一导电通道并具有预定的霍尔条形状;

第三组欧姆接触,位于所述样品的预设区域内,与所述第二导电通道相连,用于作为导电电极。

2.根据权利要求1所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,

所述第二导电通道呈土字形,具有五个引脚,所述第三组欧姆接触包括五个所述欧姆接触,分别与所述第二导电通道的五个引脚相连。

3.根据权利要求1或2所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,所述第一组欧姆接触用于作为源极、漏极和测量电极。

4.根据权利要求3所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,每对顶门结构包括一对顶门和与所述顶门对应连接的内部电极,所述每对顶门结构的内部电极分别对应连接于所述第二组欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,所述三对所述顶门依次排列,分别为第一顶门、第二顶门和第三顶门,其中,所述第一顶门和所述第三顶门为量子点接触,所述第二顶门为边门,三对所述顶门形成中心干涉区域。

6.根据权利要求5所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,

通过调节所述边门改变所述中心区域的面积。

7.根据权利要求1所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,还包括用于电子束曝光的定位和调节聚焦像散的对准标记。

8.根据权利要求7所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,

所述对准标记数量为四个,分别位于所述第一导电通道的四个顶点。

9.根据权利要求7所述的法布里-珀罗干涉器件,其特征在于,

所述对准标记为十字结构,与所述第一导电通道等高。

10.一种用于制备权利要求1-9中任一项所述的法布里-珀罗干涉器件的制备方法,包括:

S1,采用紫外曝光技术在样品上制备所述欧姆接触,得到第一样品;

S2,采用紫外曝光技术在所述第一样品上制备所述第一导电通道,得到第二样品;

S3,采用电子束曝光技术在所述第一导电通道的上表面制备顶门结构。

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