[发明专利]用于制造含吸气材料层的用于检测电磁辐射的装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造包括至少一个热检测器(10)的电磁辐射检测装置(1)的方法，所述至少一个热检测器(10)包括悬置在衬底(2)上方的、适于吸收待检测辐射的吸收膜(11)，所述至少一个热检测器旨在位于密封腔(3)中，所述方法至少包括以下步骤：

-在所述衬底(2)上沉积包括具有吸气效应的金属材料的、所谓的吸气金属层(40)；

-沉积所谓的碳质牺牲层(50)以覆盖所述吸气金属层(40)，所述碳质牺牲层包括能够通过第二化学蚀刻相对于所述吸气金属层(40)选择性地被蚀刻的、非晶碳的碳质材料；

-在所述碳质牺牲层(50)上沉积至少一个牺牲矿物层(60A、60B)，其包含能够通过第一化学蚀刻相对于所述碳质牺牲层(50)选择性地被蚀刻的矿物材料；

-使所述至少一个牺牲矿物层(60A、60B)化学-机械平面化；

-制造所述至少一个热检测器(10)，使得在所述至少一个牺牲矿物层(60A、60B)上制造所述吸收膜(11)；

-通过所述第一化学蚀刻去除所述至少一个牺牲矿物层(60A、60B)；

-通过所述第二化学蚀刻去除所述碳质牺牲层(50)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述具有吸气效应的金属材料选自钛、锆、钒、铬、钴、铁、锰、钯、钡和/或铝。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述矿物材料是至少包含氧化硅或氮化硅的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学蚀刻是在酸性介质中的化学侵蚀。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二化学蚀刻是通过氧-等离子体的干法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸气金属层(40)置于所述衬底(2)的电绝缘层(23)上并与其接触，或者置于蚀刻阻挡层(4)上并与其接触，所述蚀刻阻挡层(4)由能够阻挡所述第一化学蚀刻并覆盖所述衬底(2)的上表面的材料制成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳质牺牲层(50)覆盖所述吸气金属层(40)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸气金属层(40)包括几个分离的部分(41、42)，其至少第一部分(41)位于所述吸收膜(11)下方。

9.根据权利要求1所述的方法，其中制造所述至少一个热检测器(10)的步骤包括形成所述至少一个热检测器的封装结构(30)，所述封装结构(30)包括在所述至少一个热检测器(10)的周围和上方延伸的封装层(31)以便与所述衬底(2)一起限定所述密封腔(3)，所述至少一个热检测器(10)位于所述密封腔(3)中，所述封装层(31)包括至少一个通孔(32)，称为排出孔；并且其中在第一和第二化学蚀刻期间去除的材料通过所述排出孔(32)排出。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述封装层(31)由包含硅的至少一种材料形成。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述封装层(31)包括周壁(33)，所述周壁围绕所述至少一个热检测器(10)延伸并且与所述吸气金属层(40)接触。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个热检测器(10)包括用于将所述吸收膜(11)保持在所述衬底(2)上方的位置中的至少一个锚定柱(12)，所述至少一个锚定柱(12)与所述吸气金属层(40)接触。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学蚀刻是利用气相氢氟酸在酸性介质中的化学侵蚀。