[发明专利]聚合物真空镀膜机

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀膜机，尤其涉及一种聚合物真空镀膜机。

背景技术

在真空环境中，将材料加热并镀到基片上的技术为真空蒸镀。具体而言，真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。真空蒸镀中的镀层通常为铝膜，但其它镀层也可通过蒸发沉积形成。然而，现有的镀膜机结构较为复杂且成本较高，无法充分适应工业化生产的需求，不利于降低镀膜产品的成本。

有鉴于此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种聚合物真空镀膜机，以克服现有技术中存在的不足。

为实现上述发明目的，本发明提供一种聚合物真空镀膜机，其包括：真空箱体、镀膜鼓、挡板、调压器以及蒸发装置；

所述镀膜鼓、挡板以及蒸发装置位于所述真空箱体内部，所述挡板分布于所述镀膜鼓的两侧，所述镀膜鼓部分地自两侧挡板之间的空间伸出，所述蒸发装置于所述镀膜鼓下方，所述蒸发装置与所述镀膜鼓之间的空间形成蒸镀升华空间，所述蒸发装置包括壳体以及设置于所述壳体中的加热器，所述加热器上均匀铺设有聚合物蒸发源，所述调压器与所述加热器电性连接。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述镀膜鼓与两侧挡板之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓上卷绕的基材与基材上镀层的厚度之和。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述基材为塑料基材。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述塑料基材PET、CPP以及OPP中的一种。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述加热器的蒸发温度为400℃～500℃，所述镀膜鼓为低温镀膜鼓。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述调压器控制所述加热器的蒸发温度在所述400℃～500℃之间进行调节。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述壳体的顶部开设有蒸发口，所述蒸发口朝向所述蒸镀升华空间设置，所述加热器位于所述壳体的底部。

作为本发明的聚合物真空镀膜机的改进，所述聚合物蒸发源为三聚氰胺蒸发源。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的聚合物真空镀膜机具有结构简单、生产效率高的优点，其能够在基材上均匀蒸镀升华聚合物镀膜。本发明优选采用三聚氰胺进行镀膜，由于三聚氰胺成本相对低廉，在保护基材的同时，有利于降低镀膜产品的成本。

附图说明

图1为本发明的聚合物真空镀膜机一具体实施方式的平面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。

如图1所示，本发明的聚合物真空镀膜机包括：真空箱体10、镀膜鼓20、挡板30、调压器40以及蒸发装置50。所述真空箱体10用于形成真空镀膜环境，所述镀膜鼓20、挡板30、调压器40以及蒸发装置50位于所述真空箱体10内部。

其中，所述镀膜鼓20上卷绕有需要进行蒸镀升华聚合物镀层的基材1为塑料基材。优选地，所述塑料基材可以为PET、CPP以及OPP中的一种。所述挡板30用于在蒸镀升华时，使蒸镀料作用于所述镀膜鼓20的有效位置上，保证蒸镀升华的均匀性。具体地，所述挡板30分布于所述镀膜鼓20的两侧，且所述镀膜鼓20部分地自两侧挡板30之间的空间伸出。如此设置，所述镀膜鼓20伸出的部分形成蒸镀升华时的有效位置，其上的基材1与蒸镀料相接触实现蒸镀升华。此外，为了便于蒸镀升华的进行，所述镀膜鼓20与两侧挡板30之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓20上卷绕的基材1与基材1上镀层的厚度之和。