[发明专利]一种光伏电站集成控制系统

说明书

本发明涉及一种光伏电站集成控制系统，所述光伏电站集成控制系统包括：分别连接到多个太阳能电池模块的多个信号控制单元和连接到多个信号控制单元的最终电力输出单元，多个信号控制单元分别执行最大功率点跟踪操作，以确定每一太阳能电池模块的最大功率，最终电力输出单元选择多个太阳能电池模块分别获得的最大功率中的最大功率作为最终功率，最终电力输出单元将最终功率输出到后续设备，所述太阳能电池模块包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片。本发明的光伏电站集成控制系统可以选择最大功率进行输出。

技术领域

本发明涉及发电与储能技术领域，特别是涉及一种光伏电站集成控制系统。

背景技术

近年来，随着石油和煤炭等现有能源资源的枯竭，可再生能源替代现有能源的利益日益增加。在可再生能源中，太阳能发电产生的太阳能电池尤为突出。太阳能电池通常包括基板和发射极层，每个基板由半导体形成，电极分别形成在基板和发射极层上。形成衬底和发射极层的半导体具有不同的导电类型。在衬底和发射极层之间的界面处形成p-n结。当光入射到太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。电子-空穴对被光电效应分离成电子和空穴。因此，分离的电子移动到n型半导体，并且分离的空穴移动到p型半导体，然后通过电连接的电极收集电子和空穴分别发射到发射极层和衬底。电极使用电线彼此连接，从而获得功率。可以单独使用太阳能电池，或者可以将具有相同结构的多个太阳能电池串联或并联连接，以制造有效使用和易于安装的太阳能电池模块。因此，期望数量的太阳能电池模块可以彼此连接以制造模块阵列，即太阳能电池板。用户可以从太阳能电池板获得功率。因此，如何设计一种输出功率高的光伏电站集成控制系统，是业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种光伏电站集成控制系统。

为实现上述目的，本发明提出的一种光伏电站集成控制系统，所述光伏电站集成控制系统包括：第一、第二、第三、第四太阳能电池模块，分别连接到所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的第一、第二、第三、第四信号控制单元，以及连接到所述第一、第二、第三、第四信号控制单元的最终电力输出单元，所述第一、第二、第三、第四信号控制单元基于所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的电流和电压输出而分别执行最大功率点跟踪操作，以确定每一太阳能电池模块的最大功率，并输出该最大功率，最终电力输出单元被配置为从所述第一、第二、第三、第四信号控制单元输出的最大功率中选择最大功率作为最终功率，并输出该最终功率到后续设备，所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块均包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片，所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备：

（1）对N型硅片进行清洗，并对N型硅片的上表面进行制绒；

（2）将制绒后的N型硅片浸泡在氢氟酸溶液中20分钟，去除N型硅片表面的自然氧化层，然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时，将N型硅片取出后，分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后，将N型硅片转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，85℃下反应6h，最后将N型硅片在盐酸中浸泡60分钟，以除去N型硅片表面的甲基氯化镁，在N型硅片的制绒面形成Si-CH₃钝化层；

（3）在N型硅片的制绒面上通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和P型非晶锗薄膜；

（4）在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和N型非晶锗薄膜；

（5）在P型非晶锗薄膜上形成P型石墨烯欧姆接触层，在P型石墨烯欧姆接触层上形成金属铝栅电极；

（6）在N型非晶锗薄膜上通过热蒸发法8-羟基喹啉铝层，并在8-羟基喹啉铝层上通过热蒸发法沉积金属铝电极。

作为优选，在所述N型硅片的所述制绒面上的本征非晶锗薄膜的厚度为100-200纳米，所述P型非晶锗薄膜的厚度为50-100纳米。