[发明专利]液晶显示系统有效
申请号: | 201710254273.2 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107203073B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 蓝伊奋;徐达明;蔡正晔;杉浦规生;吴诗聪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司;佛罗里达大学研究基金会 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 系统 | ||
一种液晶显示系统包含液晶材料、多个突出部、多个第一像素电极、多个第一共电极、多个第二像素电极与多个第二共电极。液晶材料位于一第一基板与一第二基板之间。突出部由第一基板所支撑且排列成一阵列,每个突出部从一底部延伸。一第一像素电极相邻于一对应突出部的底部。一第一共电极相邻于一对应突出部的底部,使得每一个突出部位于一第一像素电极与一第一共电极的一者之间。一第二像素电极位于一对应突出部上。一第二共电极位于一对应突出部上。
技术领域
本发明关于液晶显示系统。
背景技术
液晶显示器(LCDs)广泛地使用在电子元件中,例如笔记本电脑、智能型手机、数字相机、广告牌类型显示器以及高分辨率电视。
液晶显示面板可为,例如Wu等人的美国专利号US 6,956,631,其让与给AUOptronics Corp.,亦即,本申请的受让人的母公司,其全部内容通过引用并入本文。如上公开专利的图1中所揭露,液晶显示面板可以包括一上偏光片、一下偏光片、一液晶单元与一背光源。来自背光源的光穿过下偏光片,穿过液晶单元,然后穿过上偏光片。如Wu等人进一步所公开,图1中液晶单元可以包括一下玻璃基板与包含彩色滤光片的一上基板。包括薄膜晶体管(thin film transistor;TFT)元件的多个像素可以在玻璃基板上形成一阵列,并且液晶化合物可以填充到玻璃基板与彩色滤光片之间的空间中,形成液晶材料层。
如Sawasaki等人的美国专利号US 7,557,895,其让与给本申请的受让人的母公司AU Optronics Corp.,并且其全部内容通过引用并入本文,通常液晶层的厚度必须被均匀地控制,以避免在液晶显示面板上的亮度不均匀。如Sawasaki等人所公开的,可以通过在薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间设置多数间隔物来实现所期望的均匀性。如在Sawasaki等人中进一步公开的,柱隔物可以形成不同的高度,使一些柱隔物具有大于基板之间的间隙的高度,并且其它柱隔物具有小于基板之间的间隙的高度。这种配置可以允许基板之间的间隔随着温度变化而变化,而且当应力施加于面板时也可防止过度变形。
Sawasaki等人还公开了一种组装基板的方法,基板间具有液晶材料。此方法包括以下步骤:准备两个基板,在其中一基板的外围的圆周上涂布密封材料,在其中一基板上滴下适当量的液晶,并借由在真空中吸附此对基板来填入液晶在此对基板之间,然后将所吸附的此对基板送回到大气压力环境中。
在液晶显示面板中,构成薄膜晶体管通道的半导体材料可以是非晶硅。然而,如Chen在美国专利号US 6,818,967所公开,其让与本申请的受让人的母公司AU OptronicsCorp.,多晶硅通道薄膜晶体管提供优于非晶硅薄膜晶体管的优势,其包括较低的功率与更大的电子迁移率。多晶硅的形成可以经由雷射结晶或雷射退火技术将非晶硅转换为多晶硅。使用雷射允许在低于600℃的温度下进行制造,因此制造技术被称为低温多晶硅(LTPS)。如Chen所公开的,低温多晶硅的重结晶过程导致在多晶硅层的表面上形成隆起,并且这些隆起影响低温多晶硅晶体管的电流特性。Chen公开了减小低温多晶硅表面拢起的尺寸的方法,其中通过执行第一退火处理,然后执行表面蚀刻处理,例如使用氢氟酸溶液,然后执行第二退火处理。所得到的低温多晶硅表面具有高度/宽度比小于0.2的隆起。然后可以沉积栅极隔离层、栅极、介电层以及源极与漏极金属层在低温多晶硅层上方以形成完整的低温多晶硅晶体管。
如在Sun等人的美国专利号US 8,115,209,其让与给本申请的受让人的母公司AUOptronics Corp.,并且其全部内容通过引用并入本文,与非晶硅薄膜晶体管相比,低温多晶硅晶体管的缺点是在晶体管关闭时具有相对较大的漏电流。使用多个栅极减少漏电流,Sun等人公开了用于多晶硅晶体管的多种不同的多栅极结构,包括Sun等人的图2A至图2N与图3至图6。
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