[发明专利]垂直腔发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直腔发光元件，该垂直腔发光元件包括：

第一反射器，该第一反射器形成在基板上；

半导体结构层，该半导体结构层形成在所述第一反射器上，所述半导体结构层包括第一导电型的第一半导体层、有源层、以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；

绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在所述第二半导体层上；

贯穿开口，该贯穿开口形成在所述电流限制层中而贯穿所述电流限制层；

透明电极，该透明电极覆盖所述贯穿开口和所述电流限制层，所述透明电极经由所述贯穿开口与所述第二半导体层接触；以及

第二反射器，该第二反射器形成在所述透明电极上，其中，

在所述贯穿开口中彼此接触的、所述透明电极的对应于所述开口的部分和所述第二半导体层的对应于所述开口的部分中的至少一者包括：沿着所述贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在所述贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域，以及

所述第一电阻区域具有比所述第二电阻区域的电阻值高的电阻值。

2.根据权利要求1所述的垂直腔发光元件，其中，所述第一电阻区域沿着所述贯穿开口的所述内周被形成为环状。

3.根据权利要求1所述的垂直腔发光元件，其中，在所述透明电极的对应于所述开口的部分中的所述第一电阻区域包括：形成在所述第二半导体层上的多个岛，并且所述多个岛各包括具有透光性的电介质。

4.根据权利要求1所述的垂直腔发光元件，其中，在所述透明电极的对应于所述开口的部分中的所述第一电阻区域的平均厚度小于所述第二电阻区域的平均厚度。

5.根据权利要求4所述的垂直腔发光元件，其中，在所述透明电极的对应于所述开口的部分中的所述第二电阻区域的厚度恒定，并且所述第一电阻区域的厚度朝向所述贯穿开口的边缘持续减小。

6.根据权利要求1所述的垂直腔发光元件，其中，在所述第二半导体层的对应于所述开口的部分中的所述第一电阻区域是成分原子空缺区域，在该成分原子空缺区域中所述第二半导体层中的成分原子与所述第二电阻区域相比不足。

7.一种用于制造垂直腔发光元件的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上形成第一反射器；

在所述第一反射器上形成半导体结构层，该半导体结构层包括第一导电型的第一半导体层、有源层、以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成绝缘电流限制层；

在所述电流限制层中形成贯穿开口以贯穿所述电流限制层；

将透明电极形成为覆盖所述贯穿开口和所述电流限制层，且经由所述贯穿开口与所述第二半导体层接触；以及

在所述透明电极上形成第二反射器，其中，

在所述电流限制层中形成所述贯穿开口的步骤与形成所述透明电极的步骤之间，所述方法包括以下步骤：

将保护图案形成为覆盖所述第二半导体层的在所述贯穿开口中露出的中心部分，并且对所述第二半导体层的在所述中心部分周围的露出部分执行等离子体处理，从而在所述第二半导体层的对应于所述开口的部分中，将第一电阻区域形成为沿着所述贯穿开口的内周布置，并且将第二电阻区域形成为布置在所述贯穿开口的中心区域上，且具有比所述第一电阻区域的电阻值小的电阻值。