[发明专利]阿霉素和NO供体纳米复合材料及其制备方法

权利要求书

1.阿霉素和NO供体纳米复合材料，其特征在于：以CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料作为载体，阿霉素和RBS分别负载到CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料上。

2.阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法具体包括以下步骤：

S1：将CuCl₂和柠檬酸钠水溶液混匀，加入Na₂S，制备柠檬酸盐稳定的CuS纳米晶，在N-异丙基丙烯酰胺NIPAM的低临界溶解温度LCST之下，CuS纳米晶和N-异丙基丙烯酰胺NIPAM聚合，之后接枝壳聚糖CS，高于低临界溶解温度LCST时，N-异丙基丙烯酰胺NIPAM网络塌缩形成纳米球， CuS纳米晶陷入纳米球，合成CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料；

S2：将阿霉素和RBS分别负载到CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料上，制得阿霉素和NO供体纳米复合材料。

3.根据权利要求2所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S1具体包括以下过程：

（1）、将N-异丙基丙烯酰胺NIPAM和N,N'-亚甲基双丙烯酰胺MBA溶解，并通入氮气，制得N-异丙基丙烯酰胺水分散液；

（2）、将CuCl₂和柠檬酸钠水溶液混匀，加入Na₂S，制备柠檬酸盐稳定的CuS纳米晶，将CuS纳米晶水悬浮液加入到（1）所得N-异丙基丙烯酰胺水分散液中，并加入过硫酸铵水溶液；

（3）、将壳聚糖CS、乙酸和过硫酸铵溶于蒸馏水，加入到（2）所得溶液中，并通入氮气；

（4）、将（3）所得反应液离心，透析，制得CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料。

4.根据权利要求2或3所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S2具体包括以下过程：

（5）、将步骤S1所得CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料分散到阿霉素溶液中反应，制得阿霉素负载的CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料；

（6）、将RBS溶解，加入（5）所得阿霉素负载的CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料中反应，制得阿霉素和RBS双负载的CuS杂PNIPAM-g-CS纳米复合材料。

5.根据权利要求4所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：（1）中N-异丙基丙烯酰胺NIPAM和N,N'-亚甲基双丙烯酰胺MBA的摩尔浓度比为10:1~30:1，通氮气的时间为10~50min，速率为50~400mL/min。

6.根据权利要求5所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：（2）中CuS纳米晶的浓度为0.1~4g/L，CuS纳米晶的加入量与N-异丙基丙烯酰胺水分散液的体积比为1:1~1:10，CuS纳米晶与过硫酸铵的摩尔浓度比为1:1~1:5。

7.根据权利要求6所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：（3）中壳聚糖CS的浓度为10~30g/L，过硫酸铵的浓度为0.5~10g/L，乙酸与水的体积比为1:20~1:70，通氮气的时间为10~50min，通氮气的速率为50~400mL/min。

8.根据权利要求7所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：（5）中阿霉素溶液浓度为0.1~2g/L。

9.根据权利要求8所述的阿霉素和NO供体纳米复合材料的制备方法，其特征在于：（6）中RBS的浓度为0.1~2g/L。