[发明专利]顶发射型发光器件有效
申请号: | 201710244493.7 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN106848104B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 何鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜怡;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 发光 器件 | ||
本公开提供了一种顶发射型发光器件。所述顶发射型发光器件包括:第一电极,位于出光侧处;第二电极,与第一电极相对设置;以及有机功能层,位于第一电极和第二电极之间,其中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层形成在第二电极和有机功能层之间,其中,金属氧化物层的厚度大于金属纳米颗粒的粒径,以使金属纳米颗粒被金属氧化物层覆盖。根据本公开的实施例,改善了顶发射型发光器件的发光层的发光效率,减小因电极猝灭造成的效率低下。
技术领域
本公开涉及液晶显示领域,且更具体地涉及一种顶发射型发光器件。
背景技术
随着显示技术的发展,顶发射型发光器件因其良好的器件稳定性和整流比而越来越受到重视。另外,与底发射型发光器件的发光模式相比,顶发射型发光器件的光辐射从顶部射出,从而不受像素开口率的影响。然而,顶发射型发光器件的电极与发光层材料的LUMO能级势垒较大,激子在电极的猝灭严重。
因此,在本领域中需要改善顶发射型发光器件的器件效率。
发明内容
本公开提供了一种顶发射型发光器件,包括:第一电极,位于出光侧处;第二电极,与第一电极相对设置;以及有机功能层,位于第一电极和第二电极之间,其中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层形成在第二电极和有机功能层之间,其中,金属氧化物层的厚度大于金属纳米颗粒的粒径,以使金属纳米颗粒被金属氧化物层覆盖。
在本公开的一个实施例中,第一电极可以为阳极,第二电极可以为阴极。
在本公开的一个实施例中,金属纳米颗粒的局域表面等离子体共振电磁场可以与有机功能层的发光材料的荧光团的发射峰发生耦合。
在本公开的一个实施例中,金属纳米颗粒可以选自于金、银、铜、铝、锌、铬、铂、上述金属的合金或者它们的组合。
在本公开的一个实施例中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层可以是功函数与第二电极和金属纳米颗粒具有良好的匹配性的金属氧化物层。
在本公开的一个实施例中,金属氧化物层可以由氧化锌形成。
在本公开的一个实施例中,金属纳米颗粒的粒径范围可以为5nm至50nm。
在本公开的一个实施例中,有机功能层可以包括顺序地形成的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。
在本公开的一个实施例中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层可以是通过在第二电极上形成单分散的金属纳米颗粒且随后在其上形成有单分散的金属纳米颗粒的第二电极上沉积金属氧化物层而形成的。
在本公开的一个实施例中,顶发射型发光器件还可以包括:带电聚合物电解质层,形成在第二电极上,且所带电荷的电性与金属纳米颗粒的表面所带电荷的电性相反,以用于金属纳米颗粒的静电吸附。
根据本公开的实施例,能够改善顶发射型发光器件的发光层的发光效率,并能够减小因电极猝灭造成的低效率。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解,附图并入本申请并组成本申请的一部分,附图示出了本公开的实施例,并与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是示出根据本公开的一个实施例的顶发射型发光器件的结构示意图;
图2是示出根据本公开的另一实施例的顶发射型发光器件的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择