[发明专利]基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法在审

专利信息
申请号: 201710235701.7 申请日: 2017-04-12
公开(公告)号: CN107123599A 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 王涛;赵清华;介万奇;李洁;谢涌;张颖菡;王维;张香港;董赟达 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L21/447;H01L29/778;H01L29/24
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 基于 二维 碲化镓 材料 场效应 真空 退火 方法
【权利要求书】:

1.一种基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤一、采用传统的光刻-金属化-剥离工艺,在洁净的10mm×10mm 300nm SiO2/Si衬底表面制备场效应管的栅极、源极及漏极,其中栅极、源极及漏极的材料为5nm Ti/30nm Au,沟道宽度为2μm-10μm;

步骤二、选取表面光滑无褶皱的GaTe材料,并沿自然解理面将GaTe材料分离为多块;

步骤三、使用思高胶带从GaTe块体材料表面撕离一块厚度为6-8μm的GaTe薄片;

步骤四、将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离,直至胶带表面不再光亮,成功附着密集的数百纳米厚度的GaTe片层;为了保护GaTe材料平整的表面,剥离时应使GaTe表面与思高胶带表面充分接触;思高胶带分离时,需要单方向缓慢进行;

步骤五、将带有GaTe片层的思高胶带贴合在厚度为0.5±0.03mm的PDMS薄膜表面,并用棉签均匀按压思高胶带表面使思高胶带与PDMS充分贴合;再迅速将思高胶带与PDMS分离;

步骤六、使用金相显微镜观察PDMS表面,选取厚度均匀的二维GaTe材料进行拍照,并记下二维GaTe材料在PDMS表面的位置;

步骤七、将标记的二维GaTe材料通过对准-转移平台搭接到300nm SiO2/Si表面的源极与漏极之间;

步骤八、将构筑完毕的二维GaTe场效应管放到内径为15±1mm的石英坩埚中,并使用真空泵机组将石英坩埚内抽真空至10-5Pa量级,并用氢氧焰将石英坩埚口烤实密封;

步骤九、将密封后的石英坩埚置于150℃-200℃恒温退火炉中保温100-140分钟,然后在空气中进行冷却,完成退火过程。

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