[发明专利]一种固态铝电解电容器的制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种固态铝电解电容器，尤其涉及一种固态铝电解电容器的制作工艺。

背景技术

现在每个电子产品均少不了电容器的实用，而用得最多的是铝电解电容器；铝电解电容器分为液态铝电解电容器和固态铝电解电容器。其中固态铝电解电容器是一种市场推出不久的产品，其热稳定性和导电率方便相比液态铝电解电容器还有不足。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种生产出来的薄膜导电率高、成膜快并且热稳定强的固态铝电解电容器的制作工艺。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：一种固态铝电解电容器的制作工艺，包括PEDT薄膜的合成，所述PEDT薄膜的合成包括以下步骤，1）将EDT单体或者EDOT单体加入到溶剂当中，并且用超声波振荡均匀；2）将甲基苯磺酸铁正丁醇的混合液加入到步骤1）中的溶液中在5-35摄氏度的温度下发生聚合反应；3）将步骤2）聚合后的溶液在40-200摄氏度的温度下将溶剂挥发；4）将步骤3）得到的浆液制成薄膜；5）将步骤4）得到的薄膜放入到甲苯磺酸溶液中反应15分钟取出，清洗干净后在130摄氏度的温度下烘干。

上述的固态铝电解电容器的制作工艺，优选的，所述甲苯磺酸的浓度为14%。经过多组试验，发现当甲苯磺酸的浓度为14%时，PEDT薄膜的电阻率最小。

上述的固态铝电解电容器的制作工艺，优选的，所述EDT单体或者EDOT单体与甲基苯磺酸铁正丁醇的配比为1:2-1:8。

上述的固态铝电解电容器的制作工艺，优选的，所述溶剂为丙酮：异丙醇=1:4的混合溶液。

上述的固态铝电解电容器的制作工艺，优选的，所述步骤5）中，用溶剂对薄膜进行清洗。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明中在步骤5）中加入甲苯磺酸后使得PEDT薄膜处于氧化态，PEDT薄膜的取向性有较大的提高，经过掺杂处理后的空隙体积有明显的降低，这些都有利于薄膜的均匀性和电导率的提高。

附图说明

图1为PEDT薄膜电阻率随甲苯磺酸溶液溶度的变法曲线图。

图2为未经过甲苯磺酸溶液溶液处理的AFM图。

图3为经过甲苯磺酸溶液溶液处理的AFM图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下文将结合较佳的实施例对本发明作更全面、细致地描述，但本发明的保护范围并不限于以下具体的实施例。

需要特别说明的是，当某一元件被描述为“固定于、固接于、连接于或连通于”另一元件上时，它可以是直接固定、固接、连接或连通在另一元件上，也可以是通过其他中间连接件间接固定、固接、连接或连通在另一元件上。

除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本发明的保护范围。

实施例

一种固态铝电解电容器的制作工艺，包括PEDT薄膜的合成，所述PEDT薄膜的合成包括以下步骤，1）将EDT单体或者EDOT单体加入到溶剂当中，并且用超声波振荡均匀；2）将甲基苯磺酸铁正丁醇的混合液加入到步骤1）中的溶液中在5-35摄氏度的温度下发生聚合反应；3）将步骤2）聚合后的溶液在40-200摄氏度的温度下将溶剂挥发；4）将步骤3）得到的浆液制成薄膜；5）将步骤4）得到的薄膜放入到甲苯磺酸溶液中反应15分钟取出，清洗干净后在130摄氏度的温度下烘干。

本实施例中，甲苯磺酸的浓度为14%。经过多个对比试验发现，当甲苯磺酸的浓度为14%时，PEDT薄膜的电阻率最小，如图1所示。

本实施例中，EDT单体或者EDOT单体与甲基苯磺酸铁正丁醇的配比为1:2-1:8。一般在制作电容器时，需要进行多次PEDT薄膜的合成以达到足够的厚度，一般进行5-10次，在前面几次适合用配比比较低的配方，这是因为，如果铝箔上刚开始被膜时聚合速度就很快，那么聚合的PEDT就会阻挡后面的EDT单体或者EDOT单体渗透进入三氧化二铝介质层的微孔内，同时造成聚合的PEDT薄膜结构疏松。

本实施例中，溶剂为丙酮：异丙醇=1:4的混合溶液。

本实施例中，步骤5）中，用溶剂对薄膜进行清洗。

本发明中在步骤5）中加入甲苯磺酸后使得PEDT薄膜处于氧化态，PEDT薄膜的取向性有较大的提高，经过掺杂处理后的空隙体积有明显的降低，如图2和图3所示；这些都有利于薄膜的均匀性和电导率的提高。