[发明专利]一种喀斯特地貌岩石上种植石斛的方法在审
| 申请号： | 201710212682.6 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106973765A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 罗晓青;周玉飞;王晓敏;董云富 | 申请（专利权）人： | 兴义首草谷中药材有限公司 |
| 主分类号： | A01G31/00 | 分类号： | A01G31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 562400 贵州省黔西南布*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 喀斯特地貌 岩石 种植 石斛 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种喀斯特地貌岩石上种植石斛的方法，其特征在于在喀斯特地貌的自然生态条件下，利用岩石上的天然石缝种植石斛，主要包括3个步骤：（1）选择适宜种植的石头；（2）选择大小适合的石缝；（3）将石斛种植固定在石缝里。
2.权利要求书1所指的适宜种植的石头要同时满足下面两个条件：（1）石头表面有自然形成的石缝；（2）石头要凸起，高出地面20cm以上。
3.权利要求书1所指的石缝大小要求石缝宽和深均大于2cm。
4.权利要求书1所指石斛种植固定方法：将石斛苗根沿石缝理顺，从根茎结合处分出三分之一的根，用硬材料卡住，将石斛固定在石头上，其余三分之二的根保持自然疏松状态。
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