[发明专利]用于USB输电的可配置且功率优化的集成栅极驱动器及Type-C SoC

权利要求书

1.一种包括通用串行总线USB子系统的设备，其中，所述USB子系统设置在单一集成电路IC中，并且其中，所述USB子系统包括栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路被配置以选择是控制外部的N沟道功率场效应晶体管还是控制外部的P沟道功率场效应晶体管；

其中，所述USB子系统被配置以确定是所述外部的N沟道功率场效应晶体管还是所述外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述栅极驱动器电路。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述USB子系统是USB输电USB-PD子系统。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述USB子系统是USB Type-C子系统。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极驱动器电路被配置以基于来自所述USB子系统的控制信号来控制所述外部的N沟道功率场效应晶体管或者所述外部的P沟道功率场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极驱动器电路被配置以在所述单一集成电路IC的一个或多个输出端控制所述外部的N沟道功率场效应晶体管，并且其中，所述栅极驱动器电路被配置以在所述单一集成电路IC的相同的一个或多个输出端控制所述外部的P沟道功率场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极驱动器电路被配置以提供处于正阈值电压的、处于零电压的以及处于高阻抗的输出信号。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极驱动器电路包括被配置以控制在外部电力路径上耦合的两个功率场效应晶体管的一个输出端，其中，所述两个功率场效应晶体管包括所述外部的N沟道功率场效应晶体管或者所述外部的P沟道功率场效应晶体管。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述栅极驱动器电路包括两个单独的输出端，所述两个单独的输出端被配置以独立控制在外部电力路径上耦合的两个单独的功率场效应晶体管，其中，所述两个单独的功率场效应晶体管包括所述外部的N沟道功率场效应晶体管或者所述外部的P沟道功率场效应晶体管。

9.一种用于支持通用串行总线USB的设备的方法，所述支持通用串行总线USB的设备包括集成电路IC控制器，所述方法包括：

由所述IC控制器确定是外部的N沟道功率场效应晶体管还是外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述IC控制器；

当所述外部的N沟道功率场效应晶体管被确定为耦合于所述IC控制器的时候，由所述IC控制器的栅极驱动器电路控制所述外部的N沟道功率场效应晶体管；以及

当所述外部的P沟道功率场效应晶体管被确定为耦合于所述IC控制器的时候，由所述IC控制器的所述栅极驱动器电路控制所述外部的P沟道功率场效应晶体管。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，确定是所述外部的N沟道功率场效应晶体管还是所述外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述IC控制器包括接收在所述IC控制器的输入端的信号。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，确定是所述外部的N沟道功率场效应晶体管还是所述外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述IC控制器包括在所述IC控制器中上传固件设置。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，确定是所述外部的N沟道功率场效应晶体管还是所述外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述IC控制器包括对所述栅极驱动器电路的一个或多个输出端执行电压检测。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括确定所述栅极驱动器电路的输出信号的电压电平。