[发明专利]一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法

权利要求书

1.一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法，包括分布有随机或者准周期分布的纳米凸起结构的柔性透明基底(1)以及位于柔性透明基底(1)之上的多层电极结构，所述多层电极结构自下而上包括：柔性透明基底(1)上的种子层(2)、位于种子层(2)上的超薄金属层(3)、超薄金属层(3)上的减反增透层(4)；

其特征在于：所述纳米凸起结构的凸起尺寸最大值在40-60nm之间，接近于超薄金属层与减反增透层的厚度之和，上下不超过10nm；该超薄金属透明电极的制造方法包括以下步骤：

a)将透明基底清洗并提前吹干；

b)在基底上用磁控溅射的方法制作种子层，磁控溅射过程中，Ar等离子同时作用在柔性透明基底上产生随机分布的纳米凸起结构，由此得到结构化的柔性透明电极；

c)在种子层上继续制作超薄金属层；

d)在超薄金属层上制作减反增透层；

e)在减反层上通过溶液旋涂的方法制备发光层；

f)在发光层上制备电极层，完成整个OLED的制作。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：其中所述的柔性透明基底(1)为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的任一种。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述纳米凸起结构面的粗糙度小于超薄金属层的导电薄膜厚度。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述种子层(2)为金属氧化物ZnO、TiO_X、NiO_X、V₂O₅中的一种。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述超薄金属层(3)为Ag、Al、Au、Cu中的一种，或者为上述金属中某一种的部分氧化物。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述减反增透层(4)为聚合物PEDOT:PSS、无机物CuSCN或者金属氧化物ZnO、TiO₂其中的一种。

7.根据权利要求1所述的制造 方法，其特征在于：磁控溅射过程中控制溅射功率在40-70w之间。