[发明专利]多层陶瓷电容器以及多层陶瓷电容器的制造方法

说明书

本发明提供一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷多层结构，其具有交替层叠的陶瓷电介质层和内部电极层，所述内部电极层主要由铁族之外的过渡金属构成，所述内部电极层的端缘交替地露出于第一端面和第二端面；以及设置在第一端面和第二端面上的一对外部电极，其中外部电极包括基底导电层和第一镀膜，所述基底导电层包括小于7重量％的玻璃，并且主要由铁族之外的过渡金属或贵金属构成，而所述第一镀膜覆盖基底导电层，厚度为基底导电层的厚度的一半或更大，并且主要由铁族之外的过渡金属构成。

技术领域

本发明的某方面涉及一种多层陶瓷电容器以及多层陶瓷电容器的制造方法。

背景技术

日本专利申请公开第2001-274035号公开了一种技术，其中在包括用于内部电极和外部电极的诸如Cu、Ni等的贱金属的多层陶瓷电容器中，为了防止镀液侵入，使用包括导电成分和玻璃粉的外部电极用导电膏，其中玻璃料的量相对于导电成分和玻璃料的总量为5～50重量％。

当外部电极膏没有玻璃时，芯片的密封特性可能出现问题。或者，当添加过量的玻璃时，在金属烧结之后可能出现因玻璃的表面洗脱引起的劣质镀覆。因此，日本专利申请公开第2013-048231号公开了一种用于解决上述问题的技术，其中外部电极膏包括10至90重量份的平均粒径为0.3μm或更小的导电金属颗粒，并且玻璃相对于导电金属颗粒的量为0.3至2.0。另一方面，日本专利申请公开第2004-011449号公开了一种用于解决上述问题的技术，其中包括在外部电极中的玻璃的纵向长度的平均值为10μm或更低。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，其包括：陶瓷多层结构，其形成为具有交替层叠的陶瓷电介质层和内部电极层，所述内部电极层主要由铁族之外的过渡金属构成，所述内部电极层的端缘交替地露出于陶瓷多层结构的第一端面和第二端面；以及设置在陶瓷多层结构的第一端面和第二端面上的至少一对外部电极，其中外部电极包括直接接触陶瓷多层结构的基底导电层和覆盖基底导电层的第一镀膜，所述基底导电层包括小于7重量％的玻璃并且主要由铁族之外的过渡金属或贵金属构成，所述第一镀膜的厚度为基底导电层的厚度的一半或更大并且主要由铁族之外的过渡金属构成。

根据本发明的另一方面，提供一种多层陶瓷电容器的制造方法，包括：交替地层叠陶瓷电介质层生片和用于内部电极的导电膏，所述用于内部电极的导电膏主要由铁族之外的过渡金属构成；通过将经上述层叠操作而层叠的用于内部电极的导电膏交替露出于第一端面和与第一端面不同的第二端面来形成陶瓷多层结构；煅烧陶瓷多层结构；在煅烧之后在陶瓷多层结构的第一端面和第二端面上布置导电膏，所述导电膏包括小于7重量％的玻璃且主要由铁族之外的过渡金属或贵金属构成；通过对导电膏进行热处理来烘烤基底导电层；以及形成第一镀膜，所述第一镀膜覆盖基底导电层，厚度为基底导电层的厚度的一半或更大，并且主要由铁族之外的过渡金属构成。

附图说明

图1A和图1B示出根据实施方式的多层陶瓷电容器；

图2是示出多层陶瓷电容器的制造方法的流程图；

图3示出实施例的特性结果；

图4示出比较例的特性结果；且

图5示出比较例的特性结果。

具体实施方式

当基电极包括玻璃时，玻璃倾向于在基电极的表面处偏析。当由偏析玻璃滴落或偏析玻璃洗脱到镀液中而生成的空隙中残留有诸如镀液的水分成分时，容易出现焊料分裂现象。为了抑制焊料分裂现象，需要形成金属镀膜。当考虑安装期间相对于焊料的亲和性时，通常将Ni镀用于金属镀膜。为了抑制焊料分裂现象，优选Ni镀膜具有较大的厚度。另一方面，当考虑高频带的电特性时，由于在信号线上存在具有高相对磁导率的诸如Ni的铁族过渡金属的情况下高频带的趋肤效应，电阻增加。在该情况下，介电损耗可能增加。

将参考附图给出实施方式的描述。