[发明专利]一种多晶硅铸锭热场

说明书

技术领域

本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种多晶硅铸锭热场。

背景技术

随着光伏市场的日趋成熟，竞争日趋激烈，客户需求不再集中在成本低的产品上，而是转向高品质的光伏产品。影响光伏产品品质的一个关键点就是硅片的光衰问题，现在的硅片光衰率偏高，因此，如何获得光衰较低且可大规模生产，不影响生产效率和成本的光伏产品是目前主要的问题。

现有技术中，为了得到低光衰硅片，主要是使用镓作为母合金，但由于多晶硅锭在掺镓后电阻率分布范围较大，不同热区的硅锭头部电阻率分布不均匀，头部采用同样划线的情况下，会产生很多电阻率较低的硅片，低电阻位置的漏电流较高，电池效率较低，增加了生产的操作困难，导致生产效率不高。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

本发明提供的一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。

优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。

优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域为靠近一个边的位置。

优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设数值为3毫米至10毫米。

优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述顶部加热器还包括设置于所述预设区域和所述其他区域之间的斜坡式平面。

优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域以外的其他区域的厚度范围为18毫米至22毫米。

通过上述描述可知，本发明提供的上述多晶硅铸锭热场，由于所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值，因此能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的示意图；

图2为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的横截面图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的示意图，该顶部加热器的预设区域1的厚度比所述预设区域1以外的其他区域的厚度2小预设数值。更多的细节参考图2，图2为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的横截面图，可以明显的看出，预设区域1的厚度比其他区域2的厚度更小，这样就能够增加这个预设区域的电阻，杂质都聚集到该区域，只需要后续检查此位置的参数即可，从而降低品检人员的工作量。

通过上述描述可知，本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场，由于所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值，因此能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

本申请实施例提供的第二种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种多晶硅铸锭热场的基础上，还包括如下技术特征：

所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。

当预设区域为靠近一个角的区域时，顶部加热器在这种靠近一个角的区域中电阻率偏低，从而，头部电阻率偏低的硅块集中在该区域，后续就可以减少繁琐操作，而当预设区域为靠近两个角的区域时则同理，此处不再赘述。