[发明专利]一种低功耗高精度非带隙基准电压源

权利要求书

1.一种低功耗高精度非带隙基准电压源，其特征在于：包括启动电路，偏置电流产生电路，基准电压产生电路；启动电路，偏置电流产生电路，基准电压产生电路分别接电源电压VDD，启动电路用于电路在上电过程中可能出现的电路死锁问题，其输出端接偏置电流产生电路的输入端，偏置电流产生电路用于产生一个不随电源电压变化的基准电流，偏置电流产生电路的输出端成比例镜像到基准电压产生电路的输入端，基准电压产生电路的输出端接Vref，基准电压产生电路还受到基准电压校正控制码A₁、A₂……A_X，B₁、B₂……B_X的控制，用于校正基准电压Vref。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗高精度非带隙基准电压源，其特征在于：所述的启动电路由PMOS管P1、PMOS管P2、第一电容C1组成，PMOS管P1的栅极接地，PMOS管P1的源极接电源VDD，PMOS管P1的漏极接PMOS管P2的栅极，同时接第一电容C1的正端，第一电容C1的负端接地，PMOS管P2的源极接电源VDD，PMOS管P2的漏极作为启动电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗高精度非带隙基准电压源，其特征在于：所述的偏置电流产生电路由两个PMOS管、两个NMOS管和一个电阻组成，NMOS管N1的栅极与漏极相接，并与PMOS管P3的漏极相接，同时还接到PMOS管P2的漏极，NMOS管N1的源极接地，PMOS管P3的源极接电源VDD，PMOS管P3的栅极接PMOS管P4的栅极和漏极，并与NMOS管N2的漏极相接作为偏置电流产生电路的输出端，PMOS管P4的源极接电源VDD，NMOS管N2的栅极接NMOS管N1的栅极，NMOS管N2的源极接第一电阻R1的正端，第一电阻R1的负端接地。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗高精度非带隙基准电压源，其特征在于：所述的基准电压产生电路PMOS管P5的栅极接偏置电流产生电路的输出端，PMOS管P5的源极接电源VDD，PMOS管P5的漏极接负阈值NMOS管LA0、LA1、LA2……LAX的栅极，同时还接到高阈值NMOS管H0的漏极和栅极以及高阈值NMOS管HB0、HB1、HB2……HBX的栅极，负阈值NMOS管LA0、LA1、LA2……LAX的源极相接并接到输出端口Vref，高阈值NMOS管HB0、HB1、HB2……HBX的漏极相接并接到输出端口Vref，负阈值NMOS管LA0的漏极接电源VDD，高阈值NMOS管HB0的源极接地，高阈值NMOS管LA1、LA2……LAX的漏极依次与PMOS管PA1、PA2……PAX的漏极相接，PMOS管PA1、PA2……PAX的栅极依次接输入端口A₁、A₂……A_X，PMOS管PA1、PA2……PAX的源极接电源VDD，高阈值NMOS管HB1、HB2……HBX的源极依次与NMOS管NB1、NB2……NBX的漏极相接，NMOS管NB1、NB2……NBX的栅极依次接输入端口B₁、B₂……B_X，NMOS管NB1、NB2……NBX的源极接地。