[发明专利]电源箝制电路有效
| 申请号： | 201710171360.1 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108173250B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈界廷;林群祐;柯明道;黄如琳;林自强;曾子建 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 44223 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导通电路 电源箝制电路 系统供应 电源 导通信号 开关模块 使能信号 与门模块 静电放电效应 静电放电 启动周期 接地 高电压 导通 耦接 | ||
1.一种电源箝制电路，耦接于一系统供应电源与一接地之间，其特征在于，该电源箝制电路包括：
一第一导通电路，耦接于该系统供应电源，用来产生一第一导通信号；
一第二导通电路，耦接于该系统供应电源，用来产生一第二导通信号；
一与门模块，耦接于该系统供应电源、该第一导通电路及该第二导通电路，用来接收该第一导通信号及该第二导通信号，以产生一使能信号，其中，该与门模块包括两个串联的p型金属氧化物半导体晶体管或两个串联的n型金属氧化物半导体晶体管；以及
一开关模块，耦接于该系统供应电源及该与门模块，用来根据该使能信号，导通该电源箝制电路，以处理一静电放电操作；
其中，该第一导通电路用来防止该系统供应电源的一高电压值，且该第二导通电路用来防止该系统供应电源的一短启动周期。
2.如权利要求1所述的电源箝制电路，其特征在于，该第一导通电路包括一第一电阻单元及一导通单元，且该第一电阻单元及该导通单元串联于该系统供应电源与该接地之间。
3.如权利要求2所述的电源箝制电路，其特征在于，该导通单元是一多晶硅二极管串单元、一串接p型金属氧化物半导体晶体管单元、一串接n型金属氧化物半导体晶体管单元或一齐纳二极管单元。
4.如权利要求1所述的电源箝制电路，其特征在于，该第二导通电路包括一第二电阻单元及一电容单元，且该第二电阻单元及该电容单元串联于该系统供应电源与该接地之间。
5.如权利要求1所述的电源箝制电路，其特征在于，该与门模块包括：
一第一p型金属氧化物半导体晶体管，包括一第一端，耦接于该系统供应电源，一第二端，耦接于该第二导通电路，以及一第三端；
一第二p型金属氧化物半导体晶体管，包括一第一端，耦接于该第一p型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一导通电路，以及一第三端，耦接于该开关模块；以及
一第三电阻单元，耦接于该第二p型金属氧化物半导体晶体管的第三端与该接地之间。
6.如权利要求5所述的电源箝制电路，其特征在于，该开关模块包括：
一第一端，耦接于该系统供应电源；
一第二端，耦接于该第二p型金属氧化物半导体晶体管的第三端；以及
一第三端，耦接于该接地。
7.如权利要求5所述的电源箝制电路，其特征在于，该开关模块为一n型金属氧化物半导体晶体管或一可控硅整流器。
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