[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及具有晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路。随着半导体器件的尺寸和设计规则逐渐减小，MOSFET的尺寸也逐渐按比例缩小。MOSFET的按比例缩小可以对半导体器件的操作特性具有负面影响。例如，MOSFET的按比例缩小可能引起短沟道效应。因此，已经开发了各种方法以获得具有优异性能同时克服由半导体器件的集成所致的限制的半导体器件。

发明内容

本发明构思的实施方式可以提供具有改善的电特性的半导体装置。

根据本发明构思的示例性实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；金属硅化物层，其覆盖第一源极/漏极区的顶表面；半导体柱，其穿透金属硅化物层并连接到半导体基板，半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区；在金属硅化物层上的栅电极，栅电极在平面图中围绕半导体柱；以及连接到金属硅化物层的接触。

根据本发明构思的示例性实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区，第一源极/漏极区具有第一导电性；连接到半导体基板的半导体柱；以及在第一源极/漏极区上的栅电极，栅电极在平面图中围绕半导体柱。半导体柱可以包括：形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，第二源极/漏极区具有第一导电性；形成在半导体柱的下部分中的子杂质区，子杂质区具有第一导电性；以及在第二源极/漏极区和子杂质区之间的沟道区，沟道区具有与第一导电性不同的第二导电性。

根据示例性实施方式，一种半导体器件包括在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区。低电阻层在第一源极/漏极区的顶表面处。半导体柱在延伸的第一方向上延伸通过低电阻层并且连接到半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区，半导体柱在其上部分中包括第二源极/漏极区。栅电极在金属硅化物层上，栅电极在横向于延伸的第一方向的第二方向上围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

附图说明

图1A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的半导体器件的平面图。

图1B是部分地示出根据本发明构思的示例性实施方式的半导体器件的平面图。

图1C是对应于图1A或图1B的线I-I'的剖视图。

图2是示出第一导电类型杂质的浓度变化相对于第一源极/漏极区和子杂质区中的高度的曲线图。

图3A至图3C是示出图1C的部分A的放大图。

图4是示出根据本发明构思的示例性实施方式的半导体器件的剖视图。

图5A至图13A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的用于制造半导体器件的方法的平面图。

图5B至图13B是沿图5A至图13A的线I-I'截取的剖视图。

具体实施方式

这里解释和示出的本发明构思的方面的示例性实施方式包括它们的互补对应物。在整个说明书中，相同的附图标记或相同的参考指示符表示相同的元件。