[发明专利]硅衬底片抛光方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及硅衬底片抛光领域，尤其涉及一种硅衬底片抛光方法和装置。

背景技术

现有的硅衬底片的抛光过程包括粗抛、中抛和精抛三个过程，工艺复杂、加工工艺时间长，且抛光后硅衬底片表面粗糙度只能达到0.3～0.5nm，已不能达到高端产品的要求。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的第一个目的在于提出一种硅衬底片抛光方法，通过粗略抛光和精细抛光两个工艺步骤对硅衬底片进行抛光，减少了工艺步骤，缩短了加工工艺时间，且抛光后的硅衬底片的表面粗糙度更小。

本发明的第二个目的在于提出一种硅衬底片抛光装置。

为达上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种硅衬底片抛光方法，包括：对硅衬底片进行粗略抛光；对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。

本发明实施例的硅衬底片抛光方法，通过粗略抛光和精细抛光两个工艺步骤对硅衬底片进行抛光，减少了工艺步骤，缩短了加工工艺时间，且抛光后的硅衬底片的表面粗糙度更小。

为达上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种硅衬底片抛光装置，包括：粗抛模块，用于对硅衬底片进行粗略抛光；精抛模块，用于对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。

本发明实施例的硅衬底片抛光装置，通过粗略抛光和精细抛光两个工艺步骤对硅衬底片进行抛光，减少了工艺步骤，缩短了加工工艺时间，且抛光后的硅衬底片的表面粗糙度更小。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明一个实施例的硅衬底片抛光方法的流程图；

图2是根据本发明一个实施例的硅衬底片抛光装置的结构示意图；

图3是根据本发明一个具体实施例的硅衬底片抛光装置的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面参考附图描述本发明实施例的硅衬底片抛光方法和装置。

针对目前硅衬底片抛光过程工艺复杂、加工工艺时间长且获得的硅衬底片表面粗糙度大的问题，本发明实施例提出一种硅衬底片抛光方法，包括：对硅衬底片进行粗略抛光；对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。

图1是根据本发明一个实施例的硅衬底片抛光方法的流程图。

如图1所示，该硅衬底片抛光方法包括：

S101，对硅衬底片进行粗略抛光。

为了快速去除研磨后的硅衬底片上的痕迹和减少硅衬底片表面的粗糙度，可通过粗略抛光对研磨后的硅衬底片进行处理。具体而言，将研磨后的硅衬底片放入抛光设备，使用粗抛液，以抛光转速为80～100rpm，抛光压力为2～4psi，抛光时间为15～30min的粗抛工艺对硅衬底片进行粗略抛光。经粗略抛光的硅衬底片的去除量不小于5μm，且粗略抛光后的硅衬底片的表面粗糙度小于0.6nm。

S102，对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。

经过粗略抛光后的硅衬底片的表面粗糙度小于0.6nm，仍未达到最终的使用要求，因此还需要对硅衬底片进行精细抛光。

具体地，将粗略抛光后的硅衬底片放入抛光设备，使用精抛液，以抛光转速为80～100rpm，抛光压力1～3psi，抛光时间为5～15min的精抛工艺对粗略抛光后的硅衬底片进行精细抛光。经过精细抛光后的硅衬底片的表面粗糙度小于0.2nm，低于经过现有抛光技术抛光后的硅衬底片的表面粗糙度。

可见，本发明提出的硅衬底片抛光方法，与现有技术相比，减少了中抛的工艺步骤，并且可获得表面粗糙度更小的硅衬底片。

另外，为了去除抛光后硅衬底片上的杂质，在对硅衬底片进行粗略抛光和精细抛光之后，可利用超声清洗槽对硅衬底片进行清洗。

下面以两个具体实施例来详细说明本发明提出的硅衬底片抛光方法。