[发明专利]铁皮石斛的种植方法在审
申请号: | 201710168464.7 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN107046987A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 农凯峰 | 申请(专利权)人: | 农凯峰 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G9/10;C05G1/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 532500 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁皮 石斛 种植 方法 | ||
1.一种铁皮石斛的种植方法,其特征在于,包括:
步骤一、提供一温室大棚环境,于温室大棚内进行铁皮石斛的种植,所述温室大棚内被划分为多个种植区域,每个种植区域内均设置有一罩部,所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体,所述罩体采用不透光材料,所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域;
步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质,取黑土40~60份、松树皮15~25份、马铃薯3~10份、砂石5~10份、花生壳10~20份、大蒜3~10份和蝙蝠粪3~20份,于温度120~125℃下灭菌20~30min,之后发酵10~20天,然后加入蛭石40~50份,混匀,得到培养基质;
步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10~20cm的所述培养基质,并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中,于光照温度22~28℃、黑暗温度20~22℃,光周期8~16小时/日,光照度800~2000lx和湿度50~70%条件下培养1年,得到铁皮石斛小苗;
步骤四、于所述温室大棚内铺设30~40cm的所述培养基质,之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30~40cm的所述培养基质中,于温度18~24℃、黑暗温度15~18℃,光周期10~12小时/日,光照度1800~2000lx和湿度40~60%条件下培养1~2年年,得到铁皮石斛。
2.如权利要求1所述的铁皮石斛的种植方法,其特征在于,所述步骤二中,取黑土50份、松树皮20份、马铃薯7份、砂石8份、花生壳15份、大蒜7份和蝙蝠粪12份,于温度121℃下灭菌25min,之后发酵15天,然后加入蛭石45份,混匀,得到所述培养基质。
3.如权利要求1所述的铁皮石斛的种植方法,其特征在于,所述步骤三中,铺设的所述培养基质的厚度为15cm。
4.如权利要求1所述的铁皮石斛的种植方法,其特征在于,所述步骤三中,于光照温度25℃、黑暗温度21℃,光周期12小时/日,光照度1400lx和湿度60%条件下培养1年,得到铁皮石斛小苗。
5.如权利要求1所述的铁皮石斛的种植方法,其特征在于,所述步骤四中,于所述温室大棚内铺设35cm的所述培养基质。
6.如权利要求1所述的铁皮石斛的种植方法,其特征在于,所述步骤四中,将所述铁皮石斛小苗移栽至该35cm的所述培养基质中,于温度21℃、黑暗温度16℃,光周期11小时/日,光照度1900lx和湿度50%条件下培养1.5年,得到铁皮石斛。
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