[发明专利]基于四模缺陷地式谐振器的三通带滤波器

权利要求书

1.一种基于四模缺陷地式谐振器的三通带滤波器，包括PCB介质板，其特征在于，该三通带滤波器还包括四模缺陷地式谐振器、两根微带馈线及微带阶梯阻抗谐振器，所述四模缺陷地式谐振器刻蚀在PCB介质板的一表面，两根微带馈线和微带阶梯阻抗谐振器分别刻蚀在PCB介质板的另一表面，其中：

所述四模缺陷地式谐振器的形状关于该四模缺陷地式谐振器的第一中心轴线对称，并且关于该四模缺陷地式谐振器的第二中心轴线对称，第一中心轴线与第二中心轴线相互垂直；

所述四模缺陷地式谐振器包括第一谐振单元和四个第二谐振单元，第一谐振单元由第一槽线、第二槽线和第三槽线构成H形或准H形结构，第二谐振单元由第四槽线、第五槽线和第六槽线构成；四个第二谐振单元通过各自第四槽线分别连接第一谐振单元的H形或准H形的四端，其中，第一槽线的一端连接第二槽线的中部，第一槽线的另一端连接第三槽线的中部，第二槽线和第三槽线平行并均与第一槽线垂直；第四槽线的一端连接第二槽线或者第三槽线的任一端，并向第一中心轴线延伸，第四槽线的另一端连接第五槽线的一端，第五槽线的另一端连接第六槽线的一端，并向第二中心轴线延伸，第四槽线和第六槽线平行并与第五槽线垂直；每一个第二谐振单元向第一中心轴线延伸并向四模缺陷地式谐振器的中心弯折；位于第一中心轴线同侧的两个第二谐振单元之间隔有间隔；

两根微带馈线的前端分别延伸到PCB介质板的边缘形成两个端口，两根微带馈线的末端分别从位于第一槽线同侧的两条第四槽线向第一中心轴线延伸并终止靠近第二谐振单元的闭口处，两根微带馈线关于第一中心轴线对称，两根微带馈线末端之间的间距靠近，两根微带馈线形成源载耦合的馈电结构；

所述微带阶梯阻抗谐振器的形状关于第一中心轴线对称，且所述微带阶梯阻抗谐振器靠近两根微带馈线，所述微带阶梯阻抗谐振器包括两个第三谐振单元以及一个第四谐振单元，两个第三谐振单元靠近第一中心轴线的两个末端间距等于两根微带馈线末端之间的间距，两个第三谐振单元靠近第一中心轴线的两个末端分别与第四谐振单元的两个开口端连接，其中，第三谐振单元是由第一微带线和第二微带线构成的L形或准L形结构，第一微带线的一端连接至第二微带线的一端形成L形或准L形，第一微带线的长度大于第二微带线的长度，第一微带线和第二微带线的宽度相同；第四谐振单元是由第三微带线、两根第四微带线、两根第五微带线以及两根第六微带线构成一个具有开口的凸形结构，第三微带线的两端分别连接两根第四微带线的一端，两根第四微带线的另一端分别连接两根第五微带线的一端，两根第五微带线的另一端分别连接两根第六微带线的一端，两根第六微带线的另一端作为第四谐振单元的两个开口端。

2.如权利要求1所述的基于四模缺陷地式谐振器的三通带滤波器，其特征在于，部分所述第一槽线、位于第一槽线一侧的第二槽线或者第三槽线、位于第一槽线一侧的同一第二谐振单元中的第四槽线、第五槽线和第六槽线包围的PCB介质板形成第一极板，该第一极板的形状为L形，第一极板的数量为两个，两个第一极板关于第一中心轴线轴对称。

3.如权利要求1所述的基于四模缺陷地式谐振器的三通带滤波器，其特征在于，部分所述第一槽线、位于第一槽线另一侧的第二槽线或者第三槽线、位于第一槽线另一侧的同一第二谐振单元中的第四槽线、第五槽线和第六槽线包围的PCB介质板形成第二极板，第二极板的形状为L形，第二极板的数量为两个，两个第二极板关于第一中心轴线轴对称。

4.如权利要求1所述的基于四模缺陷地式谐振器的三通带滤波器，其特征在于，所述第一槽线的长度为L₁=23.5mm、宽度为W₁=0.68mm；第二槽线和第三槽线的长度均为L₂=12mm；第二槽线和第三槽线的宽度均为W₂=0.3mm；第四槽线的长度为L₃=11.05mm、宽度为W₃=0.3mm；第五槽线的长度为L₄=2.8mm、宽度为W₃=0.3mm；第六槽线的长度为L₅=7.3mm、宽度为W₃=0.3mm；位于第一槽线同侧的两条第五槽线之间的距离为S₁=0.8mm，第一槽线与第六槽线之间的距离为S₂=2.27mm。