[发明专利]真空开关管用陶瓷上釉工艺

权利要求书

1.真空开关管用陶瓷上釉工艺，其特征是步骤如下：

（1）烘干：将产品真空开关管进行清洗后，随后对其烘干，使其表面温度为280~320℃；

（2）上釉：配置釉水如下：取85~90份的长石，1~5份氧化硅和8~12份去离子水，充分搅拌均匀制成釉水，使用上釉设备在步骤（1）所得真空开关管的陶瓷表面喷洒100~500nm的釉水层；

（3）烧釉：

①将步骤（2）所得上釉后的真空开关管陶瓷体放置在窑车上的承烧板上，产品可叠加，陶瓷体的顶端面距离炉膛顶部为30~50mm；

②窑车从升温区经过加热区推向冷却区，加热区的温度控制在1250~1550℃，推进速度10~15mm/min，通过升温区的总耗时控制在10~15h，通过加热区的总耗时控制在2~6h，通过冷却区的总耗时控制在8~15h，得到烧结后的真空开关管；

（4）磨加工：使用双端面磨床研磨步骤（3）所得真空开关管陶瓷两端，使得端面粗糙度控制在1.2~1.8nm；

（5）清洗：将步骤（4）研磨后的真空开关管放入水中，使用超声波清洗1~2小时，超声频率为20-40Hz。

2.如权利要求1所述真空开关管用陶瓷上釉工艺，其特征是：步骤（2）所述长石的粒径为2~3nm；氧化铝的粒径为1.5~3nm。

3.如权利要求1所述真空开关管用陶瓷上釉工艺，其特征是：步骤（3）所述烧结过后真空开关管的釉层厚度为50~250nm。

4.如权利要求1所述真空开关管用陶瓷上釉工艺，其特征是：步骤（4）所述双端面磨床的砂轮为180~220目。