[发明专利]Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

说明书

本发明实施例公开了Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash，用于解决现有Nand flash在存储少量数据时容易增加额外的存储负担，降低存取处理速度的问题。本发明实施例方法包括：获取待写入数据；若待写入数据的数据量小于预设阈值，则根据最新数据包索引号读取当前Nand flash块的最新数据包，最新数据包索引号为当前Nand flash块中存储最新写入的数据包的物理页对应的物理号；获取最新数据包中的映射表，映射表记录有当前Nand flash块中存储的各个数据包的逻辑号与物理号之间的映射关系；建立新的映射关系；将建立的映射关系添加至映射表中，生成新的映射表；根据新的映射表和待写入数据生成新的数据包；将新的数据包写入最新可用物理号对应的物理页内。

技术领域

本发明涉及存储介质技术领域，尤其涉及Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash。

背景技术

现有Nand flash(Nand型闪存)存储针对Nand flash特性采用了FTL(FlashTranslation Layer，闪存转换层)方法，其一般包括以下处理机制：

1)建立坏Nand flash块表；

2)建立Nand flash块映射表；

3)建立Nand flash页映射表；

4)采用平衡磨损算法提高整体使用寿命；

5)垃圾回收机制；

6)重读机制。

通过上述系列复杂的算法保证整体使用寿命和快速使用存储数据。

然而，当Nand flash用来存储一些数据量少(例如少于Nand flash的一个物理页)且又不经常写的数据时，采用上述复杂的处理机制不仅增加额外的存储负担，降低了数据的存取处理速度，而且减少了Nand flash的使用寿命。

发明内容

本发明实施例提供了Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash，能够快速完成Nand flash对少量数据的存取处理操作，大大减轻Nand flash处理少量数据时的存储负担，延长Nand flash的使用寿命。

第一方面，提供了一种Nand flash的数据处理方法，应用于在所述Nand flash中指定的Nand flash块；

所述Nand flash的数据处理方法包括：

获取待写入数据；

若所述待写入数据的数据量小于预设阈值，则根据最新数据包索引号读取当前Nand flash块的最新数据包，所述最新数据包索引号为所述当前Nand flash块中存储最新写入的数据包的物理页对应的物理号；

获取所述最新数据包中的映射表，所述映射表记录有所述当前Nand flash块中存储的各个数据包的逻辑号与物理号之间的映射关系；

建立分配给所述待写入数据的逻辑号与最新可用物理号之间的映射关系，所述最新可用物理号为所述当前Nand flash块中最新的可用物理页对应的物理号；

将建立的所述映射关系添加至所述映射表中，生成新的映射表；

根据所述新的映射表和所述待写入数据生成新的数据包；

将所述新的数据包写入所述最新可用物理号对应的物理页内。

第二方面，提供了一种Nand flash的数据处理方法，应用于在所述Nand flash中指定的Nand flash块，所述Nand flash块中存储有预设格式的数据包；

所述Nand flash的数据处理方法包括：