[发明专利]一种瓶颈式反应管及高通量二维单晶炉装置有效
申请号: | 201710159585.5 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN106948001B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 简贤;张万里;张文旭;尹良君;唐辉;饶高峰;李言荣 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C30B23/02 | 分类号: | C30B23/02;C30B29/64 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 瓶颈 反应 通量 二维 单晶炉 装置 | ||
1.一种瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管呈圆筒状,其底部封闭,顶部采用封管密封,其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部;所述瓶颈式反应管为真空封管中,原料置于底部,基片水平安装于颈部。
2.按权利要求1所述瓶颈式反应管,其特征在于,所述“瓶颈”形颈部的数量为7~15个,相邻颈部之间的间距为12cm~15cm。
3.按权利要求1所述瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管的外径为17~25mm;所述“瓶颈”形颈部的直径最小处的直径为3mm~15mm。
4.高通量二维单晶炉装置,包括:炉体(1)、刚玉石英管(2)、按权利要求1所述瓶颈式反应管(3)、温控系统(5)及环形加热圈(6);其特征在于,所述刚玉石英管(2)设置于炉体(1)内壁,所述瓶颈式反应管(3)设置于刚玉石英管内(2),所述环形加热圈(6)嵌套设置于刚玉石英管(2)内部、与所述瓶颈式反应管(3)中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置;所述温控系统(5)连接炉体、用于控制装置温度。
5.按权利要求4所述高通量二维单晶炉装置,其特征在于,所述高通量二维单晶炉装置中瓶颈式反应管数量≥1,每支瓶颈式反应管形状相同、且底部位于同一水平位置。
6.按权利要求4所述高通量二维单晶炉装置,其特征在于,所述炉体为一个整体炉体、或者多个分段炉体堆叠构成。
7.按权利要求6所述高通量二维单晶炉装置,其特征在于,所述炉体炉膛内径为100~150mm、外径为300~500mm;当所述炉体采用分段式炉体,则分段式炉体高度为12~15mm。
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