[发明专利]二次电池及其制造方法

权利要求书

1.一种二次电池制造方法，其特征在于，包括：

从层叠的多个集流体箔的层叠方向将集流体端子放置在层叠的所述多个集流体箔上，

所述集流体端子具有在与所述集流体箔的层叠方向正交的第一延伸方向上延伸的第一端部，以及在同时与所述集流体箔的层叠方向和所述第一延伸方向正交的第二延伸方向上从所述第一端部的一端延伸出的第二端部，所述第二端部在所述第二延伸方向上的长度小于所述第一端部在所述第一延伸方向上的长度，并且所述第二端部与所述第一端部形成缺口，以使得布置在所述集流体箔的层叠方向上的末端处的所述集流体箔部分暴露，

所述第二端部包括基部和薄壁部，所述薄壁部在所述第一延伸方向上从所述基部突出，并且该薄壁部在所述集流体箔的层叠方向上的厚度小于所述基部的厚度；

通过用能量束沿着所述第一延伸方向朝着所述第二端部扫描布置在所述缺口中的所述多个集流体箔，同时用所述能量束照射所述多个集流体箔，将所述多个集流体箔焊接至所述集流体端子，其中，

当所述多个集流体箔焊接至所述集流体端子时，使布置在所述缺口中的所述多个集流体箔和所述薄壁部熔融。

2.根据权利要求1所述的二次电池制造方法，其特征在于：

当所述多个集流体箔焊接至所述集流体端子时，在所述第二延伸方向上从所述第一端部突出的所述多个集流体箔仅在沿所述第一延伸方向上远离所述第二端部的位置处、在所述第二延伸方向上部分地熔融。

3.根据权利要求1所述的二次电池制造方法，其特征在于：

当所述集流体端子放置在层叠的所述多个集流体箔上时，所述薄壁部在所述多个集流体箔的层叠方向上的厚度T与所述集流体箔在所述多个集流体箔的层叠方向上的厚度t的比率满足关系0.5≤T/t≤1.1。

4.根据权利要求1所述的二次电池制造方法，其特征在于：

当所述集流体端子放置在层叠的所述多个集流体箔上时，所述薄壁部在所述多个集流体箔的层叠方向上的厚度T与所述集流体箔在所述多个集流体箔的层叠方向上的厚度t的比率满足关系0.6≤T/t≤0.9。

5.根据权利要求1到4中任意一项所述的二次电池制造方法，其特征在于：

所述集流体端子还具有第三端部，所述第三端部布置为：在所述第一延伸方向上面向所述第二端部，在同时与所述集流体箔的层叠方向和所述第一延伸方向正交的方向上延伸，并且与所述第一端部和所述第二端部形成所述缺口；

所述第三端部包括基部和薄壁部，所述薄壁部在与所述第一延伸方向相反的方向上从所述基部突出，并且在所述集流体箔的层叠方向上具有小于所述基部的厚度；

当所述多个集流体箔焊接至所述集流体端子时，还用能量束沿着所述第一延伸方向朝着所述第三端部扫描布置在所述缺口中的所述多个集流体箔，同时用所述能量束照射布置在所述缺口中的所述多个集流体箔。

6.根据权利要求1到4中任意一项所述的二次电池制造方法，其特征在于：

所述第二端部具有台阶结构，从而使得所述第二端部在所述集流体箔的层叠方向上的厚度从所述基部朝向所述薄壁部不连续地变化。