[发明专利]磁传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁传感器，其中具备：

在表面具备霍尔元件的半导体衬底；

设在所述半导体衬底的背面上的粘接层；以及

设在所述粘接层上的磁会聚板。

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：还具备设在所述磁会聚板的与所述粘接层相反侧的表面上的导电层。

3.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述半导体衬底的厚度为100～400μm。

4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁会聚板的厚度为20～50μm。

5.一种磁传感器的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体衬底的表面形成霍尔元件的工序；

在镀敷用衬底上形成基底导电层的工序；

在所述基底导电层上形成具有磁会聚板形成用的开口的抗蚀剂的工序；

在形成了所述抗蚀剂的状态下进行电解镀、在所述开口内形成磁会聚板的工序；

除去所述抗蚀剂的工序；

以所述磁会聚板为掩模蚀刻除去所述基底导电层的一部分的工序；

在所述磁会聚板上涂敷粘接剂的工序；

利用所述粘接剂来粘合所述半导体衬底的背面与形成在所述镀敷用衬底上的所述磁会聚板的工序；以及

从所述基底导电层剥离所述镀敷用衬底的工序。

6.如权利要求5所述的磁传感器的制造方法，其特征在于：还包含对所述半导体衬底的背面进行磨削而使所述半导体衬底的厚度为100～400μm的工序。

7.如权利要求5所述的磁传感器的制造方法，其特征在于：所述磁会聚板的厚度为20～50μm。