[发明专利]OTG的供电控制系统及方法有效
申请号: | 201710147401.3 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN106855848B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 张方恒;王志强;刘淑华 | 申请(专利权)人: | 和远智能科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40;H02J7/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 袁文婷;张宁 |
地址: | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | otg 供电 控制系统 方法 | ||
1.一种OTG的供电控制系统,包括:CPU和micro USB接口,其特征在于,还包括电压输出控制模块和电压输入控制模块,所述电压输出控制模块包括第一P沟道增强型MOS管,所述电压输入控制模块包括N沟道增强型MOS管和第二P沟道增强型MOS管;其中,
所述CPU的OTG_DN引脚与所述micro USB接口的D-引脚连接;
所述CPU的OTG_DP引脚与所述micro USB接口的D+引脚连接;
所述CPU的USB_OTG_ID引脚与所述micro USB接口的ID引脚连接;
所述CPU的OTG_POW_EN引脚与所述第一P沟道增强型MOS管的栅极连接,所述第一P沟道增强型MOS管的源极接入所述CPU的5V供电电源,所述第一P沟道增强型MOS管的漏极与所述micro USB接口的VBUS引脚连接,所述第一P沟道增强型MOS管的衬底接地,在所述第一P沟道增强型MOS管的栅极与源极之间并联有第一电阻;
所述CPU的P5V0_OTG_VBUS引脚与所述第二P沟道增强型MOS管的漏极连接,所述第二P沟道增强型MOS管的栅极与所述N沟道增强型MOS管的漏极连接,所述第二P沟道增强型MOS管的源极与所述micro USB接口的VBUS引脚连接,所述第二P沟道增强型MOS管的衬底与源极连接,在所述第二P沟道增强型MOS管的源极与漏极之间并联有第一肖特基二极管,在所述第二P沟道增强型MOS管的源极与栅极之间并联有第二电阻,在所述第二P沟道增强型MOS管的漏极与栅极之间并联有第一电容;
所述N沟道增强型MOS管的源极与衬底连接后接地,所述N沟道增强型MOS管的栅极通过第三电阻接入所述CPU的3.3V供电电源,在所述N沟道增强型MOS管的源极与漏极之间并联有第二肖特基二极管;
所述micro USB接口的GND引脚接地;
所述micro USB接口的VBUS引脚通过第二电容接地。
2.一种OTG的供电控制方法,包括如下三种情况:
第一种情况为:在CPU工作且micro USB接口接入从设备时,所述CPU的OTG_POW_EN引脚输出低电平,导通所述电压输出控制模块的第一P沟道增强型MOS管,将所述CPU的5V供电电源与所述micro USB接口的VBUS引脚接通,通过所述micro USB接口的VBUS引脚向所述从设备输出5V电压;以及,通过电压输入控制模块的第二P沟道增强型MOS管将所述5V电压接到所述CPU的P5V0_OTG_VBUS引脚上;
第二种情况为:在所述CPU工作且所述micro USB接口接入主设备时,所述CPU的OTG_POW_EN引脚输出高电平,截止所述第一P沟道增强型MOS管,将所述CPU的5V供电电源与所述micro USB接口的VBUS引脚断开;以及,通过所述第二P沟道增强型MOS管将所述主设备输出的5V电压接到所述CPU的P5V0_OTG_VBUS引脚上;
第三种情况为:在所述CPU停止工作、所述CPU的3.3V供电电源断开,且所述micro USB接口接入主设备时,通过截止所述第一P沟道增强型MOS管,将所述CPU的5V供电电源与所述micro USB接口的VBUS引脚断开;以及,通过截止所述电压输入控制模块的N沟道增强型MOS管,截止所述第二P沟道增强型MOS管,将所述主设备接到所述CPU的P5V0_OTG_VBUS引脚上的5V电压断开。
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