[发明专利]一种射频带状传输线在审

专利信息
申请号: 201710140045.2 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN106876851A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 冯琳;管玉静;符博;丁卓富;薛伟;孙思成 申请(专利权)人: 成都雷电微力科技有限公司
主分类号: H01P3/18 分类号: H01P3/18
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 韩洋,王芸
地址: 610213 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 带状 传输线
【说明书】:

技术领域

发明涉及微波互联领域,特别涉及一种射频带状传输线。

背景技术

有源相控阵天线由于具有比传统火控雷达更多的优势,成为近年来发展的热点技术; TR模块是相控阵天线中重要的关键组件,其中X波段的TR模块更是具有发射功率大、射频增益高的特点,但是由此也特别容易产生射频自激,进而造成模块性能的恶化。因此,如何避免大功率TR模块产生射频自激一直是大功率TR模块设计中的重要课题。

TR模块射频自激的主要发生原理是:射频链路中的末级器件产生的大功率射频信号辐射到模块内部空间中,当链路中的前级接收到辐射信号后会经过整个射频链路的射频放大形成正反馈,最终产生自激。传统的TR模块设计采用微带线作为前级的射频传输线,该结构通常采用单层PCB板,载流导带下方是接地电介质基片,上方则是自由空间。这种结构非常容易吸收辐射,进而产生射频自激。而一些设计方式中,为了避免自激往往需要在TR模块中额外粘贴很多吸波材料和屏蔽纸,工序非常复杂,且产生的效果也非常有限,还大大降低了模块的批量生产性,同时增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种射频带状传输线结构,有效地避免X波段大功率TR模块中产生的射频自激。

为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:

一种射频带状传输线,包括底层基片、上层基片,以及设置于底层基片上层基片之间的载流导带;

所述底层基片上载流导带的两侧,还平行设置有不与所述载流导带接触的中间接地金属层;所述中间接地金属层上设置有接地金属过孔;

所述底层基片底部设置有底层接地金属层,所述接地金属过孔将中间接地金属层与底层接地金属层连接;

所述上层基片顶层还设置有顶层接地金属层。

进一步的,底层基片、上层基片采用Rogers5880、TLY-5或Rogers6002作为材料。

进一步的,所述载流导带包括以铜作为材料的导带本体,以及覆盖于导带本体表面的镀金层。

进一步的,所述导带本体厚度为0.5~1盎司,镀金层厚度为1~4um。

进一步的,所述中间接地金属层包括以铜作为材料的中间接地金属层本体,以及覆盖于中间接地金属层本体表面的接地镀金层。

进一步的,所述中间接地金属层本体厚度为0.5~1盎司,接地镀金层厚度为1~4um。

进一步的,所述金属过孔的半径为0.1~0.3mm。

进一步的,所述载流导带为带状结构。

进一步的,所述载流导带带状结构的输入端、输出端为微带线结构,其用于所述载流导带和其他器件连接。

与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明提供的射频带状传输线结构,采用底层基片、载流导带、上层基片的三层结构,使得主要起信号传输作用的载流导带线被“夹”在两个接地层(顶层接地金属层、底层接地金属层)之间,再通过两个接地层平面之间有电介质,使得该结构能有效地降低辐射损耗和干扰,从而避免TR模块的射频自激。

附图说明:

图1为本发明提供的射频带状传输线整体结构图。

图2为本发明中载流导带和中间接地金属层分布图。

图3为本发明提供的射频带状传输线剖面图。

图中标记:1-底层基片,11-底层接地金属层,2-上层基片,21-顶层接地金属层,3-载流导带,31、32-导带输入端、输出端,4-中间层接地金属层,5-金属过孔。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。

实施例1:如图1至图3所示,本实施例提供一种射频带状传输线,包括底层基片1、上层基片2,以及设置于底层基片1上层基片2之间的载流导带3;所述底层基片1上载流导带3的两侧,还平行设置有不与所述载流导带3接触的中间接地金属层4;所述中间接地金属层4上设置有接地金属过孔5;所述底层基片1底部设置有底层接地金属层11,所述接地金属过孔5将中间接地金属层4与底层接地金属层11连接;使用时,所述射频带状传输线通过底层接地金属层与功能模块(如TR模块)腔体粘连,以实现接地;上层基片2顶层还设置有顶层接地金属层21,使用时,该顶层接地金属层要求与功能模块(TR模块)的腔体粘接,以实现接地。

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