[发明专利]一种可控硅整流模块的加载方法及装置有效
申请号: | 201710139630.0 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106953513B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 孟捷;张芝文;王涛;曹华 | 申请(专利权)人: | 华远电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M7/155 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 阳开亮 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控硅 整流 模块 加载 方法 装置 | ||
1.一种可控硅整流模块的加载方法,所述可控硅整流模块用于加载不同功率的变频器所需的电流,其特征在于,所述可控硅整流模块的加载方法包括:
将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,所述电抗器的三相输入端和三相输出端分别与所述陪测变频器的三相输出端和所述可控硅整流模块的三相输入端串联,并将所述可控硅整流模块的正铜排和负铜排短接;
调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。
2.根据权利要求1所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,调节所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流包括:
调节所述陪测变频器的输出电压;
所述电抗器根据所述陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。
3.根据权利要求2所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,所述可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:
其中,I为所述可控硅整流模块加载所需的电流,U为所述陪测变频器的输出电压,f为所述陪测变频器的输出频率,L为所述电抗器的电感量。
4.根据权利要求2所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,所述调节所述陪测变频器的输出电压具体为:
通过设置所述陪测变频器的参数以使所述陪测变频器输出相应的电压。
5.一种可控硅整流模块加载装置,其特征在于,所述可控硅整流模块加载装置包括:
连接模块,用于将电抗器分别与被测可控硅整流模块和陪测变频器电连接,所述电抗器的三相输入端和三相输出端分别与所述陪测变频器的三相输出端和所述可控硅整流模块的三相输入端串联,并将所述可控硅整流模块的正铜排和负铜排短接;
加载模块,用于调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述被测可控硅整流模块加载所需的电流。
6.根据权利要求5所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于,所述加载模块包括:
电压调节单元,用于调节所述陪测变频器的输出电压;
电流加载单元,用于所述电抗器根据所述陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。
7.根据权利要求6所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于:
所述电流加载单元使可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:
其中,I为所述可控硅整流模块加载所需的电流,U为所述陪测变频器的输出电压,f为所述陪测变频器的输出频率,L为所述电抗器的电感量。
8.根据权利要求6所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于:
所述电压调节单元具体用于:通过设置所述陪测变频器的参数以使所述陪测变频器输出相应的电压。
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