[发明专利]晶边偏移检测方法及系统、机台

说明书

本发明揭示了一种晶边偏移检测方法及系统、机台，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

技术领域

本发明涉及半导体制程的检测技术领域，特别是涉及一种晶边偏移检测方法及系统、机台。

背景技术

半导体行业制造日新月异，产品的线宽在不断的减小。伴随着线宽的变小缺陷对产品的良率会产生更大的杀伤，而改善所以造成缺陷的各种因素也越来越成为可以提升半导体良率的重要手段。生产中发现很多缺陷和晶圆的晶边的质量有相关性，好的晶边质量可以有效减少缺陷的源头，从而为提高芯片质量提高好的保证。

例如，在电化学镀膜(ECP)工艺后，新镀的膜层会将晶边覆盖，因此需要对晶圆的边缘进行清洗以去除晶上的膜层，一般会在晶边上喷洒清洗液。如果清洗液喷洒偏移，就会造成晶边偏移，在后续的制程中造成缺陷。然而，现有技术中并不能够有效地检测出晶边偏移的状况。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶边偏移检测方法及系统、机台，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，包括：

沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；

判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述直线跨过所述晶圆的圆心。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光，多个所述直线非平行设置。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，至少两个所述直线相互垂直。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。

根据本发明的另一面，还提供一种用于如上任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统，包括：

光发射器，沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

光接收器，在所述直线处接受所述晶圆的反射光；以及

统计单元，对所述反射光的强弱进行统计。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆，所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光，所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。