[发明专利]高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法在审

专利信息
申请号: 201710133271.8 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN106712648A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 姜平;余维荣;黄小光;周根荣;杨慧 申请(专利权)人: 南通大学;江苏力普电子科技有限公司
主分类号: H02P27/14 分类号: H02P27/14;H02P29/028;G01R31/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 徐激波
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高压 变频 调速 系统 在线 故障 快速 检测 旁路 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:包括在线故障快速检测方法和旁路保护方法:

在线故障快速检测方法:

(1)根据SPWM波形要求,通过双DSP控制器给予IGBT驱动电路触发信号;

(2)IGBT驱动电路收到触发信号后即时导通IGBT单元,此时IGBT单元为低管压降即IGBT的正向导通电压;

(3)在DSP控制器发出驱动信号的同时,DSP控制器在线实时检测IGBT单元的输出信号GPIOB0,若输出信号GPIOB0为高电平则为正常无故障,若输出信号GPIOB0为低电平则为有故障;

旁路保护方法:

一旦DSP控制器在线检测出GPIOB0为低电平,IGBT单元发生故障,一方面不再向IGBT单元发驱动触发信号;同时即刻触发双向晶闸管KS,使得与其串联的上下级功率单元的SPWM电压能在此呈现短路通过;为了能异步电机三相电压对称工作,同时关闭同组另二相功率单元。本方法在快速检测与旁路处理过程中,系统不关机;

正常工作中,依据设置的工作频率,DSP输出驱动信号,驱动IGBT1、IGBT4与IGBT2、IGBT3交替工作,获得交流信号;DSP在GPTOA口发出驱动信号同时,通过DSP输入端GPTOB口检测相应的IGBT导通与否,如果此时IGBT未导通,说明出了故障,DSP一方面封锁4个IGBT的驱动信号,同时DSP GPTOF口输出信号触发双向晶闸管导通,实现旁路保护。

2.根据权利要求1所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述高压变频调速系统安装在三相电源与异步电机之间,该高压变频调速系统包括移相变压器、变频器以及控制单元,其中:

变频器,包括 3n 个相同的功率单元,n≥2且n为整数;每 n个功率单元依次串联构成一相,三相星型相连后连接所述异步电机;所述功率单元包括依次连接的整流电路、逆变电路和旁路保护电路,所述整流电路是由多个二极管和电容构成的整流桥电路,所述逆变电路是由多个相同的IGBT单元构成的逆变器电路,所述旁路保护电路是由多个二极管、双向晶闸管和触发电路构成的电路,所述IGBT单元包括驱动电路、IGBT单元和快速检测电路;

移相变压器,包括原边绕组以及 3n个副边绕组,原边绕组连接所述三相电源,每个副边绕组均按照延边三角形接法连接一个功率单元;

控制单元,包括双DSP控制器、PLC控制器和人机界面,所述双DSP控制器与每一个功率单元的IGBT单元分别电连接,所述人机界面分别与双DSP控制器、PLC控制器电连接,所述双DSP控制器还与所述PLC控制器电连接。

3.根据权利要求2所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述n为9。

4.根据权利要求2所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述触发电路与所述双向晶闸管连接,所述触发电路采用MOC3061模块,MOC3061模块为光电耦合器件,其输入与输出采用光电隔离,实现DSP信号对双向晶闸管的触发控制,双DSP控制器的输出信号GPIOF0与MOC3061模块的输人相连,MOC3061模块的输出与双向晶闸管的输入相连。

5.根据权利要求2所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述驱动电路与所述IGBT单元的栅极连接,所述IGBT单元的集电极与发射极之间设有快速检测电路。

6.根据权利要求2或5所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述驱动电路采用Si8286模块,实现DSP信号对IGBT的驱动控制,其内部采用容耦隔离,传输介质为SiO2,以电容形式传输高速数字信号,速率达150Mbps,双DSP控制器的输出信号GPIOA口与Si8286模块的输人相连,Si8286模块的输出与IGBT的输入相连。

7.根据权利要求2或5所述的一种高压变频调速系统的在线故障快速检测和旁路保护方法,其特征在于:所述快速检测电路包括二极管VD1,二极管VD2,电阻R1,电阻R2和光耦合器件OC,所述光耦合器件内的二极管与电阻R1、二极管VD1串联后与所述二极管VD2并联连接,所述光耦合器件内的光敏三极管的集电极连接有电阻R2。

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