[发明专利]内置信号校准电路的双速率DML器件、模块及信号校准方法

说明书

本发明涉及一种双速率DML器件、模块及校准方法，属于光通信技术领域，具体涉及一种内置信号校准电路的双速率DML器件、模块及校准方法。本发明在器件内部加入了信号校准电路，通过新型的分光结构实现PD前置，利用分时序多路串行信号的控制结构将监控信号反馈至电驱动器以调整驱动电流，减少了背光监控之间的串扰问题，实现了25Gbps和28Gbps双调制频率下高质量信号的输出。

技术领域

本发明涉及一种双速率DML器件、模块及校准方法，属于光通信技术领域，具体涉及一种内置信号校准电路的双速率DML器件、模块及校准方法。

背景技术

随着全球带宽需求的不断提高，数据中心、安防监控等光通信行业应用领域的不断扩展，骨干网、接入网的大规模建设，光模块行业迎来了全新的市场机遇。特别是近年来，伴随着云计算、视频应用、互联网游戏、社交网络等应用的兴起，互联网流量呈现以指数的方式倍增，面向“100G平台”的路由器正逐步取代原有10G地位，成为新的核心网。这成为100G传输技术发展的重要驱动力。相比于传统的10G传输设备，100G传输技术不仅具有更高的集成度，还可以有效地利用光纤的传输特性，节省空间资源和光缆资源。

目前应用于光通信领域的激光器调制方式主要有两种：直接调制激光器方式(directlymodulatedsemiconductorlaser，简称DML)和电吸收调制激光器方式(electro-absorptionmodulatedlaser，简称EML)。直接调制激光器方式是比较常见的一种激光器调制方法。利用直接调制方式制作的器件及模块有久远的应用历史和广泛的运用范围，这种特性决定了不论是光芯片还是电芯片都具有更完整地供应及质量体系、稳定的可获取性和稳定的质量输出，决定了直接调试激光器的低成本、高性价比。

但是，由于DML激光器的调制信号是直接施加在激光器芯片上，变化的输入电流会导致激光器芯片的输出特性劣化，变化的频率越高，则劣化越明显，在40G以及40G之前的时代，这种劣化并不影响信号的传输及提取，然而进入100G的时代，这种劣化对信号传输及提取的影响不容忽视。

发明内容

本发明主要是解决现有技术所存在的高速传输模式下DML信号劣化问题，提出了一种内置信号校准电路的双速率DML器件、模块。该结构在器件内部加入了信号校准电路，通过新型的分光结构实现PD前置，减少了背光监控之间的串扰问题，并通过高集成多级放大、均衡芯片参数配置、调整芯片到激光器管芯之间键合长度和角度共同在器件内部实现信号校准功能，实现了25Gbps和28Gbps双调制频率下高质量信号的输出；并且通过串行信号的控制结构减少了信号的引脚。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种内置信号校准电路的双速率DML器件，包括：

信号校准电路组件，内置于所述DML器件中，用于校准劣化信号，并且通过金线直连激光器芯片。

可选的，上述的一种内置信号校准电路的双速率DML器件，包括：

准直透镜，用于将激光器芯片的光源转换为平行光；

分光结构，用于将部分平行光反射并汇聚至PD光敏面上；

PD阵列，包括多个所述PD光敏面，并且各个PD光敏面分别与串口控制结构的数据输入端口相连，所述串口控制结构和用于驱动激光器芯片的信号校准组件相连。

可选的，上述的一种内置信号校准电路的双速率DML器件，所述分光结构产生透射与反射的面位于其对脚线所形成的斜面上，所述PD阵列位于所述斜面上方。

可选的，上述的一种内置信号校准电路的双速率DML器件，所述信号校准组件与芯片之间的金线键合长度为0.1mm至2mm，弯曲角度为45°至135°。

可选的，上述的一种内置信号校准电路的双速率DML器件，所述分光结构还用于将部分平行光透射并汇聚至光纤中。