[发明专利]一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器

说明书

本发明公开了一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器，包括巴条、A1N陶瓷基板、无氧铜热沉、一对支撑陶瓷、负极引出陶瓷、正极引线、负极过渡金线及负极引线；本发明从封装工艺角度来讲，极大缩短了封装工艺的流程及工时，而对于后期光束整形而言，封装方式前腔面的整齐度更好，所有发光面都在同一直线上，所以后期只需设计一体化透镜就可以实现光束整形，大大节省了人力和物力。

技术领域

本发明涉及一种电子设备，尤其涉及一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器。

背景技术

半导体激光器是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低，此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代。

对于常规的大功率半导体激光巴条封装，多数都采用巴条P面和N面整体大面积焊接在热传导系数较高的散热热沉上，这样在激光器加电工作时，正负极将分别从焊接巴条P面和N面的散热热沉引出，这种焊接方式意味着巴条上所有发光单元处于并联同步触发状态，一旦加电工作时，整个巴条上的发光单元都将开始同步发光工作。这种工作方式适用于绝大多数工作状态下，但是针对个别应用不适用，如航空航天领域的激光烧蚀等，还需要特殊封装方式实现芯片单元单独控制。

发明内容

本发明的目的：提供一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器，针对航空航天领域特殊应用而设计，实现了一体化封装激光器上，各发光单元独立控制发光，光束整形聚焦后，可用于激光烧蚀。

为了实现上述目的，本发明的技术方案是：

一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器，包括巴条、A1N陶瓷基板、无氧铜热沉、一对支撑陶瓷、负极引出陶瓷、正极引线、负极过渡金线及负极引线；所述的巴条的P面上设有多个发光单元，且所述的多个发光单元之间分别设有芯片绝缘槽，使每个所述的发光单元相互独立；所述的A1N陶瓷基板的两侧分别设有金属层，其中一侧的金属层为带有绝缘槽的金属层图形，且所述的金属层图形的外层金属层为金锡合金，另一侧的金属层为全部金属层区域，且所述的全部金属层区域的外层金属层为金；所述的无氧铜热沉的侧端面上设有一个热敏电阻孔，所述的无氧铜热沉的背面设有两个定位螺纹孔；所述的负极引出陶瓷的两端分别通过所述的一对支撑陶瓷设置在所述的无氧铜热沉上，所述的负极引线的一端连接在所述的负极引出陶瓷的一端，所述的巴条及A1N陶瓷基板设置在所述的无氧铜热沉上，所述的巴条通过所述的负极过渡金线与所述的负极引出陶瓷连接。

上述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其中，所述的巴条焊接在所述的A1N陶瓷基板上的金属层图形的前端，十条正极引线焊接在所述的A1N陶瓷基板上的金属层图形的后端。

上述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其中，所述的A1N 陶瓷基板焊接在无氧铜热沉上，所述的支撑陶瓷焊接在所述的无氧铜热沉上。

上述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其中，所述的负极引出陶瓷焊接在所述的支撑陶瓷上，所述的负极引线焊接在所述的负极引出陶瓷上。

上述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其中，所述的负极过渡金线通过所述的巴条的N面连接至所述的负极引出陶瓷。

本发明从封装工艺角度来讲，极大缩短了封装工艺的流程及工时，而对于后期光束整形而言，封装方式前腔面的整齐度更好，所有发光面都在同一直线上，所以后期只需设计一体化透镜就可以实现光束整形，大大节省了人力和物力。

附图说明

图1是本发明一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器的主视图。

图2是本发明一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器的后视图。