[发明专利]一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路及其制造方法

权利要求书

1.一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路，包括光检测模块(510)和放大器集成电路(550)，其特征在于，所述光检测模块(510)包括光电二极管(520)、光检测模块的输出引脚(530)和第一环路天线(590)，其中光检测模块的输出引脚(530)的数量为两个，且光电二极管(520)分别与两个光检测模块的输出引脚(530)连接，所述放大器集成电路(550)包括放大器集成电路的输入引脚(560)、电容(565)、晶体管(570)、第二环路天线(595)和放大器输出引脚(580)，其中放大器集成电路的输入引脚(560)的数量为两个，且放大器集成电路的输入引脚(560)与光检测模块的输出引脚(530)相对应，光检测模块的输出引脚(530)与放大器集成电路的输入引脚(560)之间连接有两条键合线(540)，且两条键合线(540)相互交叉设置，其中一个放大器集成电路的输入引脚(560)与电容(565)的一端连接，电容(565)的另一端与晶体管(570)的发射极连接，晶体管(570)的基极与另一个放大器集成电路的输入引脚(560)连接，放大器输出引脚(580)与后级电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路，其特征在于，所述光检测模块(510)为光探测器。

3.根据权利要求1所述的一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路，其特征在于，所述第一环路天线(590)和第二环路天线(595)的相位相反。

4.根据权利要求1所述的一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路，其特征在于，所述键合线(540)之间设有绝缘层，且绝缘层为二氧化硅、聚四氟乙烯、玻璃、滑石、塑料或玻璃纤维制成。

5.一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路的制造方法，包括以下步骤：

S1：先放置光传感器，在光传感器的旁边放置放大器，且光传感器与放大器相互对齐；

S2：将光传感器的上输入口连接到放大器的下输入口；

S3：将光传感器的下输入口连接到放大器的上输入口，并且两条键合线交叉设置。