[发明专利]一种TVS二极管PN结结构在审
| 申请号： | 201710118708.0 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107425047A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;余晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tvs 二极管 pn 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。
2.根据权利要求1所述的TVS二极管PN结结构，其特征在于，所述空隙的尺寸须结合结深以及掺杂杂质的横向扩展距离保证在热推进之后空隙仍然存在。
3.根据权利要求1所述的TVS二极管PN结结构，其特征在于，所述空隙的形状和位置须在保证最外侧的掺杂区域的宽度的前提下自由排布。
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