[发明专利]磁体和位移检测装置

说明书

本发明的位移检测装置具备：磁体，具有被磁化成S极的第一磁极区域和被磁化成N极的第二磁极区域，并且在自身的周围形成磁场；以及磁场检测单元，以可以沿着第一方向相对该磁体移动的方式设置，并且通过检测磁场的变化来检测磁体在第一方向上的位移。磁体包含迁移部分，在迁移部分，第二方向上的第二磁极区域的磁容量对第一磁极区域的磁容量的比沿着第一方向逐渐变化，第二方向与第一方向正交。

技术领域

本发明涉及一种检测磁体对磁场检测元件的位移的位移检测装置、和用于该位移检测装置的磁体。

背景技术

一般来说，作为在编码器、电位计等中检测旋转体的旋转动作的装置，例如使用具备与该旋转体一起旋转的磁体、和以与该磁体的附近离间的方式配置的磁场检测元件的旋转角检测装置(位移检测装置)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-304805号公报

专利文献2：日本特开2011-145168号公报

发明内容

然而，在以往的旋转角检测装置(位移检测装置)中，存在可检测的角度范围被限定、有的检测出的角度与实际的旋转角度之间的误差大等问题。

因此，期望提供一种不缩小可检测的角度范围而可以进行更高精度的角度检测的位移检测装置、和适合该位移检测装置的磁体。

本发明的一种实施方式的磁体具有在第一方向上延伸、且被磁化成S极的第一磁极区域和被磁化成N极的第二磁极区域，并且在自身的周围形成磁场。并且该磁体包含迁移部分，在迁移部分，第二方向上的第二磁极区域的磁容量对第一磁极区域的磁容量的比沿着第一方向逐渐变化，第二方向与第一方向正交。另外，本发明的一种实施方式的位移检测装置具备作为上述本发明的一种实施方式的磁体、和磁场检测单元。该磁场检测单元以可以沿着第一方向相对该磁体移动的方式设置，并且通过检测磁场的变化来检测磁体在第一方向上的位移。

附图说明

图1A是表示本发明的第一实施方式的位移检测装置的整体结构的正面图。

图1B是表示图1A所示的位移检测装置的整体结构的顶视图。

图1C是表示图1A所示的位移检测装置的整体结构的立体图。

图2A是图1A所示的磁体的境界的规定式的说明图。

图2B是表示从图1A所示的磁体的第一磁极区域与第二磁极区域的境界至磁体的旋转轴的距离的图表。

图3A是表示图1A所示的磁场检测单元的结构的立体图。

图3B是表示图1A所示的磁场检测单元的主要部分的结构的放大分解立体图。

图3C是表示图1A所示的磁场检测单元的电路图。

图4A是表示图1A所示的位移检测装置的、磁体对磁场检测单元的旋转角与磁通密度的关系的特性图(实验例1-1)。

图4B是表示图1A所示的位移检测装置的、从由磁场检测单元检测出的磁通密度的值求得的旋转角与磁体的实际的旋转角的误差的特性图(实验例1-1)。

图5是表示作为实验例1-2的磁体的顶视图。

图6是表示作为实验例1-3的磁体的顶视图。

图7是表示作为实验例1-4的磁体的顶视图。

图8A是表示具备图5所示的磁体的位移检测装置的、磁体对磁场检测单元的旋转角与磁通密度的关系的特性图(实验例1-2)。