[发明专利]发光陶瓷、LED封装结构及发光陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种发光陶瓷，其特征在于，所述发光陶瓷表面设置有多个有序排列的凹陷，所述每个凹陷内壁表面为半球面，每个凹陷的直径与深度比例在2:1～3:1之间，所述发光陶瓷的原料包括荧光粉和第二相辅料，所述第二相辅料包括Al₂O₃和/或MgAl₂O₄，所述第二相辅料占所述发光陶瓷的质量百分含量的40～50％，所述荧光粉包括Re和YAG，其中Re为稀土离子，所述稀土离子选自Ce铈、Lu镥、Eu铕、Nd钕、Tb铽、Yb镱或Pr镨的至少之一，所述YAG荧光粉为钇铝石榴石Y₃Al₅O₁₂，所述Re占所述YAG的摩尔比例为0.01～0.3，所述发光陶瓷制作材料中的Re摩尔浓度为0.1～1％，所述发光陶瓷的厚度为0.1～2mm，表面光洁度Ra＜0.4。

2.根据权利要求1所述的发光陶瓷，其特征在于，半球面凹陷的直径D为10～100μm，半球面凹陷的深度H为10～50μm。

3.根据权利要求1所述的发光陶瓷，其特征在于，所述每个凹陷与其横向相邻的凹陷的间隔距离a为1～100μm，与其纵向相邻的凹陷的间隔距离b为1～100μm。

4.根据权利要求1所述的发光陶瓷，其特征在于，所述凹陷通过激光对所述发光陶瓷进行辐照方式得到。

5.根据权利要求1所述的发光陶瓷，其特征在于，所述发光陶瓷通过真空烧结或等离子放电烧结方式得到。

6.一种包括如权利要求1-5任一项所述的发光陶瓷的LED封装结构，其特征在于，包括：基板、光源芯片、反射杯、波长转换元件，所述光源芯片设置在所述基板上，且位于所述波长转换元件和所述基板之间，所述反射杯与基板和波长转换元件连接，所述发光陶瓷位于所述波长转换元件中。

7.一种发光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

准备发光陶瓷原料，所述发光陶瓷的原料包括荧光粉和第二相辅料，所述第二相辅料包括Al₂O₃和/或MgAl₂O₄，所述第二相辅料占所述发光陶瓷的质量百分含量的40～50％，所述荧光粉包括Re和YAG，其中Re为稀土离子，所述稀土离子选自Ce铈、Lu镥、Eu铕、Nd钕、Tb铽、Yb镱或Pr镨的至少之一，所述YAG荧光粉为钇铝石榴石Y₃Al₅O₁₂，所述Re占所述YAG的摩尔比例为0.01～0.3，所述发光陶瓷制作材料中的Re摩尔浓度为0.1～1％，所述发光陶瓷的厚度为0.1～2mm，表面光洁度Ra＜0.4；

以预定规格激光对所述发光陶瓷原料进行辐照，在所述发光陶瓷原料表面上处理出一凹陷；

以快速扫描模式用所述预定规格激光对所述发光陶瓷原料表面进行扫描辐照，在所述发光陶瓷原料表面处理出多个所述凹陷，所述凹陷在发光陶瓷原料表面有序排列，所述每个凹陷内壁表面为半球面，所述每个凹陷的直径与深度比例在2:1～3:1之间，制得发光陶瓷；

其中，所述预定规格的激光的参数包括：激光脉冲持续时间为20～100ns，脉冲重复率为1kHz，功率为0.01～0.4W，激光光斑大小直径为10～100μm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将所述发光陶瓷在60～90℃下的浓硫酸溶液中浸泡洗涤1～10min。