[发明专利]烤架及其喷涂方法及微波炉有效
申请号: | 201710113403.0 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106871179B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 韩大成;安明波;张明;凌奇宏 | 申请(专利权)人: | 广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | F24C15/16 | 分类号: | F24C15/16;C09D1/00;F24C7/02;B05D1/02;B05D5/00;B05D7/00;B05D3/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 528311 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烤架 及其 喷涂 方法 微波炉 | ||
1.一种烤架,用于微波炉,其特征在于,所述烤架包括本体及包覆所述本体的涂层,所述涂层包括纳米级的多个二氧化硅颗粒;
所述涂层包括第一涂层及第二涂层,所述第一涂层及所述第二涂层依次包覆所述本体,所述第一涂层隔开所述第二涂层及所述本体;
所述多个二氧化硅颗粒包括第一二氧化硅颗粒及第二二氧化硅颗粒,所述第一涂层包括所述第一二氧化硅颗粒,所述第二涂层包括所述第二二氧化硅颗粒;
所述第一涂层由第一涂料试剂喷涂在所述本体的外表面上而形成,所述第一涂料试剂包括第一硅溶胶、第一硅烷及第一助剂,所述第二涂层由第二涂料试剂喷涂在所述第一涂层的外表面上而形成,所述第二涂料试剂包括第二硅溶胶、第二硅烷及第二助剂;
所述第一硅溶胶包括所述第一二氧化硅颗粒,所述第二硅溶胶包括所述第二二氧化硅颗粒;
所述第一硅烷和所述第二硅烷相同,所述第一助剂及所述第二助剂由消泡剂、杀菌剂、增稠剂、分散剂、pH调节剂、消光剂、分散剂中的一种或多种构成。
2.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述涂层包括纳米级的半导体氧化物颗粒。
3.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述第一涂层的厚度的范围为20μm~25μm,所述第二涂层的厚度的范围为8μm~10μm。
4.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为30%~50%,所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为20%~50%,所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数的范围为0%~40%,所述第一硅溶胶与所述第一硅烷的质量总和占所述第一涂料试剂的质量百分数大于或等于60%。
5.如权利要求4所述的烤架,其特征在于,所述第一硅溶胶占所述第一涂料试剂的质量百分数为33%,所述第一硅烷占所述第一涂料试剂的质量百分数为27%,所述第一助剂占所述第一涂料试剂的质量百分数为40%。
6.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为40%~55%,所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为35%~45%,所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数的范围为0%~20%,所述第二硅溶胶与所述第二硅烷的质量总和占所述第二涂料试剂的质量百分数大于或等于80%。
7.如权利要求6所述的烤架,其特征在于,所述第二硅溶胶占所述第二涂料试剂的质量百分数为49.5%,所述第二硅烷占所述第二涂料试剂的质量百分数为40.5%,所述第二助剂占所述第二涂料试剂的质量百分数为10%。
8.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述多个二氧化硅颗粒形成至少一层二氧化硅层。
9.如权利要求8所述的烤架,其特征在于,所述涂层包括第一涂层及第二涂层,所述第一涂层及所述第二涂层依次包覆所述本体,所述第一涂层隔开所述第二涂层及所述本体,所述至少一层二氧化硅层包括第一二氧化硅层及第二二氧化硅层,所述第一涂层包括所述第一二氧化硅层,所述第二涂层包括所述第二二氧化硅层。
10.如权利要求1所述的烤架,其特征在于,所述本体包括闭合的框体及网格层,所述框体围绕所述网格层,所述框体与所述网格层固定连接,所述网格层包括多个第一支撑条及与所述多个第一支撑条交叉的多个第二支撑条,所述多个第一支撑条沿所述框体的长度方向间隔分布,所述多个第二支撑条沿所述框体的宽度方向间隔分布,相邻的两个所述第一支撑条之间的间距大于或等于40mm,相邻的两个所述第二支撑条之间的间距大于或等于40mm。
11.如权利要求10所述的烤架,其特征在于,相邻的两个所述第一支撑条之间的间距等于65mm,相邻的两个所述第二支撑条之间的间距等于100mm。
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