[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201710113162.X 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN106855670A 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 吴晓晓;李元行;刘博智;陈国照 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 代理人: 王达佐,马晓亚
地址: 361101 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器,可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率彩色屏幕。

液晶显示器的工作原理是在像素电极和公共电极之间施加驱动电压,控制液晶分子的旋转,从而实现画面显示。存储电容在画面显示中起着重要作用,现有技术的显示面板通常通过公共电极和像素电极之间的重叠部分来形成存储电容。

然而,随着显示技术的不断发展,液晶显示器的分辨率越来越高,像素越来越小,公共电极和像素电极之间的重叠区域也越来越小,即存储电容的电容值逐渐变小,不能维持像素正常工作所需要的驱动电压,导致显示不良。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,以期解决现有技术中存在的技术问题。

根据本申请的一个方面,提供了一种阵列基板,包括衬底基板,以及位于衬底基板上的像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管、像素电极以及公共电极,薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层,有源层包括形成于源极和漏极之间的沟道区。阵列基板还包括遮光层,遮光层包括多个遮光区,每一像素单元对应至少一遮光区,遮光区位于沟道区朝向衬底基板的一侧,且遮光区在衬底基板上的正投影覆盖沟道区在衬底基板上的正投影。其中,漏极与像素电极电连接,遮光区与漏极之间相互交叠,且遮光区与公共电极电连接。

在一些实施例中,遮光区在衬底基板上的正投影覆盖漏极在衬底基板上的正投影。

在一些实施例中,漏极与公共电极之间相互交叠。

在一些实施例中,公共电极与遮光区之间具有第一绝缘层,公共电极与遮光区之间通过设置于第一绝缘层上的第一过孔相连接。

在一些实施例中,各像素单元内包括至少一第一过孔。

在一些实施例中,遮光层还包括遮光引线,遮光层的各遮光区通过遮光引线相互电连接,且遮光引线与公共电极在阵列基板的非显示区域通过第一过孔电连接。

在一些实施例中,阵列基板还包括扫描线,扫描线与薄膜晶体管的栅极电连接;扫描线和遮光引线在衬底基板上的正投影不相交叠。

在一些实施例中,薄膜晶体管中,栅极位于沟道区背离衬底基板的一侧。

在一些实施例中,遮光区与有源层之间在垂直于衬底基板的方向上的间距小于500nm。

在一些实施例中,遮光层为导电材料。

在一些实施例中,遮光层为金属材料。

根据本申请的另一方面还提供了一种显示面板,包括如上的阵列基板。

根据本申请的又一方面还提供了一种显示装置,包括如上的显示面板。

本申请提供的阵列基板、显示面板和显示装置,通过将公共电极电连接到与漏极交叠的遮光层,使遮光层与漏极之间形成第二电容,并叠加到公共电极与像素电极之间的第一电容上,从而有效提高了存储电容的电容值,改善了显示效果,有利于高分辨率的实现。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1示出了本申请的阵列基板的第一实施例的示意图;

图2示出了本申请的第一实施例沿图1中的线I-I’的截面图;

图3示出了本申请的第一实施例的另一实现方式的截面图;

图4A示出了本申请的阵列基板的第二实施例的一个示例的示意图;

图4B示出了本申请的阵列基板的第二实施例的另一示例的示意图;

图5示出了本申请的阵列基板的第三实施例的示意图;

图6示出了本申请的阵列基板的第四实施例的截面图;

图7示出了本申请的显示面板的一个实施例的示意性结构图;

图8示出了本申请的显示装置的一个实施例的示意性结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

图1示出了本申请的阵列基板的第一实施例的示意图,图2示出了本申请的第一实施例沿图1中的线I-I’的截面图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司,未经厦门天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710113162.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top