[发明专利]用于高重复率准分子激光的无二次放电高效激励电路

权利要求书

1.用于高重复率准分子激光的无二次放电高效激励电路，其特征在于：包括具有两组原边绕组和一组副边绕组的脉冲变压器、设置在脉冲变压器原边侧的储能电容C0，脉冲变压器两组原边绕组分别通过正向充电电路和反向充电电路与储能电容C0连接，脉冲变压器的副边绕组两端分别通过导线连接有放电电极E，两导线之间连接有多组相互并联的高压陶瓷电容，相邻高压陶瓷电容相同方向一端之间连接有磁脉冲压缩开关，仅最后一组高压陶瓷电容上并联有残余能量吸收电路；

正向充电电路由二极管D1、作为固体开关S1的IGBT管构成，脉冲变压器第一组原边绕组一端与二极管D1的阴极连接，二极管D1的阳极与储能电容C0一端连接，脉冲变压器第一组原边绕组另一端与固体开关S1的集电极连接，固体开关S1的发射极与储能电容C0的另一端连接；

反向充电电路由二极管D2、作为固体开关S2的IGBT管构成，脉冲变压器第二组原边绕组一端与二极管D2的阳极连接，二极管D2的阴极与储能电容C0、二极管D1的阳极之间连接，脉冲变压器第二组原边绕组另一端与固体开关S2的集电极连接，固体开关S2的发射极与储能电容C0、固体开关S1的发射极之间连接。

2.根据权利要求1所述的用于高重复率准分子激光的无二次放电高效激励电路，其特征在于：脉冲变压器的副边绕组两端分别通过导线连接有放电电极E，两导线之间连接有相互并联的高压陶瓷电容C1、C2、C3、Cd，其中高压陶瓷电容C1与高压陶瓷电容C2相同方向一端之间连接有磁脉冲压缩开关MS1，高压陶瓷电容C2与高压陶瓷电容C3同样相同方向一端之间连接有磁脉冲压缩开关MS2，高压陶瓷电容C3与高压陶瓷电容Cd同样相同方向一端之间连接有磁脉冲压缩开关MS3，仅高压陶瓷电容Cd上并联有残余能量吸收电路。

3.根据权利要求1所述的用于高重复率准分子激光的无二次放电高效激励电路，其特征在于：所述残余能量吸收电路由电感L4和电阻R4串联构成。