[发明专利]操作非易失性存储器设备的方法

说明书

本申请公开了操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：使用第一感测电压执行第一感测操作；根据由于第一感测操作而存储在页缓冲器的第一锁存器单元中的第一数据，对多个位线当中的一些位线预充电；复位第一锁存器单元；以及使用第二感测电压执行第二感测操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0025042号的优先权，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

在此描述的本发明构思涉及非易失性存储器设备，并且更具体地涉及包括页缓冲器的非易失性存储器设备和操作该非易失性存储器设备的方法。

背景技术

被用作半导体存储器设备的非易失性存储器设备即使在电源被关断时仍然可以存储数据。闪存(flash memory)设备是一种类型的非易失性存储器，并且被广泛地用于例如通用串行总线(USB)驱动器、数字相机、移动电话、智能电话、平板PC、存储卡以及固态驱动器(SSD)等中。

数据可以通过执行多个感测操作被读取以提高非易失性存储器设备的性能。然而，当多个感测操作的结果必须被备份时，需要具有足够大的存储容量的存储设备以备份感测操作的结果。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种非易失性存储器设备以及一种操作非易失性存储器设备的方法，该非易失性存储器设备用于读取数据而无需用于备份数据的转储(dump)过程。

本发明构思的实施例提供了一种操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：使用第一感测电压对非易失性存储器设备的存储单元执行第一感测操作；根据由于第一感测操作而存储在页缓冲器的第一锁存器单元中的第一数据，对连接到存储单元的多个位线当中的一些位线预充电；在预充电之后复位第一锁存器单元；以及使用第二感测电压对存储单元执行第二感测操作。

本发明构思的实施例提供了一种操作非易失性存储器设备的方法，该非易失性存储器设备包括页缓冲器，该页缓冲器包括连接到感测节点的第一锁存器单元和电连接到第一锁存器单元的第二锁存器单元。该方法包括：响应于读取命令，将对多个存储单元执行的第一感测操作的结果存储在第一锁存器单元中；根据第一锁存器单元的逻辑状态，选择性地对连接到所述多个存储单元的多个位线当中的一些位线预充电；在选择性地预充电之后，设置第一锁存器单元为第一逻辑状态而无需将存储在第一锁存器单元中的第一感测操作的结果转储到第二锁存器单元；以及将对所述多个存储单元当中的至少一些存储单元执行的第二感测操作的结果存储在第一锁存器单元中。

本发明构思的实施例还提供了一种操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：设置第一锁存器单元的逻辑状态为第一逻辑状态；根据第一锁存器单元的设置的逻辑状态，对所有连接到第一锁存器单元的多个位线预充电；在预充电之后，使用第一感测电压对连接到所述多个位线的存储单元执行第一感测操作，并将第一感测操作的结果作为数据存储在第一锁存器单元中；根据存储在第一锁存器单元中的数据的逻辑状态，选择性地对所述多个位线中的一些预充电；在选择性地预充电之后，设置第一锁存器单元的逻辑状态为第一逻辑状态；以及使用第二感测电压对存储单元执行第二感测操作，并在第一锁存器单元中存储第二感测操作的结果作为最终数据。

附图说明

根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将会变得明显和更容易领会，在附图中：

图1示出了根据本发明构思的实施例的存储器系统的框图；

图2示出了根据本发明构思的实施例的图1的存储器设备的框图；

图3和4示出了根据本发明构思的各种实施例的页缓冲器的框图；

图5示出了根据本发明构思的实施例的连接到一个位线的页缓冲器中的缓冲器的框图；