[发明专利]表面声波(SAW)谐振器

说明书

本发明涉及表面声波saw谐振器。一种设备包含：硅Si衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω‑cm且小于约15000Ω‑cm的电阻率；及压电层，其安置在所述衬底上方且具有第一表面及第二表面。所述压电层可具有在约0.5μm到约30.0μm的范围内的厚度且基本上不含铁Fe。

技术领域

本发明涉及表面声波(saw)谐振器。

背景技术

电谐振器广泛并入现代电子装置中。例如，在无线通信装置中，射频(RF)及微波频率谐振器用于滤波器中，用于例如具有形成梯形及晶格结构的电串联及并联谐振器的滤波器中。滤波器可包含在例如连接在天线(可存在如同用于MIMO的若干个天线)与收发器之间的双工器(双工器、三工器、四工器、五工器等)中用于对所接收信号及所传输信号进行滤波。

各种类型的滤波器使用机械谐振器，例如表面声波(SAW)谐振器。谐振器将电信号转换成机械信号或振动，及/或将机械信号或振动转换成电信号。

虽然需要特定表面模，但特定驻波乱真模可存在于SAW谐振器的压电材料的相对面之间。这些乱真模是寄生的，且可影响包括SAW谐振器的滤波器的性能。

因此，需要一种至少克服上文描述的已知SAW谐振器的缺点的SAW谐振器结构。

发明内容

一方面，本发明描述一种设备，其包括：硅(Si)衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω-cm且小于约15000Ω-cm的电阻率；及压电层，其安置在所述衬底上方且具有第一表面及第二表面。

另一方面，本发明描述一种包括多个表面声波(SAW)谐振器结构的SAW滤波器，所述多个SAW谐振器结构中的一或多者包括：硅(Si)衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω-cm且小于约15000Ω-cm的电阻率；及压电层，其安置在所述衬底上方且具有第一表面及第二表面。

附图说明

从结合附图中的图阅读的以下详细描述最佳地理解示例性实施例。应强调的是，各种特征未必按比例绘制。事实上，为了论述清晰，可任意地增大或减小尺寸。在适用且实用的情况下，相同参考符号指相同元件。

图1A是根据代表性实施例的SAW谐振器结构的俯视图。

图1B是导纳对频率的图。

图2是图1A的SAW谐振器结构沿线2-2的横截面视图。

图3是根据代表性实施例的SAW谐振器的一部分的横截面视图。

图4是根据代表性实施例的SAW谐振器的一部分的横截面视图。

图5是根据代表性实施例的包括SAW谐振器结构的滤波器的简化示意框图。

具体实施方式

在以下详细描述中，出于解释且非限制的目的，阐述揭示具体细节的代表性实施例以便透彻理解本发明。然而，对于受益于本发明的一般技术人员将显而易见的是，背离本文中揭示的具体细节的根据本发明的其它实施例保持在所附权利要求书的范围内。此外，可省略熟知设备及方法的描述以免模糊代表性实施例的描述。这些方法及设备显然在本发明的范围内。

应理解，本文中使用的术语出于仅描述特定实施例的目的，且并非意图为限制性的。任何所定义术语又含所定义术语的如本发明的技术领域中通常理解及接受的技术及科技意义。

如本说明书及所附权利要求书中使用，除非上下文另外清楚地指明，否则术语‘一’及‘所述’包含单数指示物及复数指示物两者。因此，例如，‘一装置’包含一个装置及多个装置。