[发明专利]表面声波(SAW)谐振器

权利要求书

1.一种设备，其包括：

硅Si衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω-cm且小于约15000Ω-cm的电阻率；及

压电层，其安置在所述硅衬底上方且具有第一表面及第二表面，其中所述压电层在约500nm的光学波长下具有大于约0.1cm^-1到小于约1.0cm^-1的光学吸收率，

其中所述压电层不包括氧掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电层包括铌酸锂LiNbO₃或钽酸锂LiTaO₃。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述压电层具有在约0.5μm到约30.0μm的范围内的厚度。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述压电层基本上不含铁Fe。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

多个电极，其安置在所述压电层的所述第一表面上方，所述多个电极经配置以在所述压电层中产生表面声波。

6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：

安置在所述硅衬底的所述第一表面与所述压电层的所述第二表面之间的层，所述层具有第一表面和第二表面，或者所述层的第二表面具有足以促成所述层的所述第二表面与所述硅衬底的所述第一表面之间的原子键合的平滑度，或者所述层的所述第一表面具有足以促成所述层的所述第一表面与所述压电层的所述第二表面之间的原子键合的平滑度；以及

在所述压电层的所述第二表面上或在所述硅衬底的所述第一表面上的多个特征，所述多个特征经配置以反射声波且减少乱真模在所述压电层中的入射。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述经反射声波相消地干扰所述压电层中的声波。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个特征中的至少一些具有倾斜侧。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个特征中的至少一些呈不规则图案。

10.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个特征中的所述至少一些具有乱真模的波长的约四分之一(1/4λ)的高度。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个特征中的所述至少一些具有在约0.25μm到约1.5μm的范围内的高度。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个特征中的所述至少一些具有在约0.1μm到约2.50μm的范围内的高度。

13.根据权利要求6所述的设备，其中所述层包括氧化物材料。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述氧化物材料包括二氧化硅SiO₂、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG中的一者。

15.根据权利要求6所述的设备，其中所述层的所述第二表面具有约到约的高度均方根RMS变差。

16.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电层在室温下具有大于约10¹²Ω-cm且小于约10¹⁵Ω-cm的直流电DC电阻率。