[发明专利]记忆体测试方法有效
| 申请号: | 201710103791.4 | 申请日: | 2017-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN108511030B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 余俊锜;张志伟;黄胜国 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/48 | 分类号: | G11C29/48 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记忆体 测试 方法 | ||
一种记忆体测试方法,包含下列步骤。使记忆体控制器对记忆体模组进行资料写入及读取。当读取的资料数目不符时,校准资料触发致能讯号。再次进行资料读取,当资料读取内容包含小于或等于一笔负缘资料读取内容时,触发取样单元。资料读取数目增加时,判断未接收到资料触发讯号。资料读取数目未增加时,检查记忆体控制器。当资料读取内容包含大于一笔负缘资料读取内容时,检查记忆体模组的突发模式设定。当资料数目相符但内容不符时,检查记忆体控制器的传送模组设定及检查取样单元。当资料数目相符且内容相符时,结束测试。
技术领域
本发明是有关于一种测试技术,且特别是有关于一种记忆体测试方法。
背景技术
现在的电路设计常采用多晶片模组(multi-chip module;MCM)的封装技术,以在一个封装内容纳两个或两个以上的裸晶。但是这样的封装技术并无法以探针量测多晶片模组内的记忆体装置的波形。部分量测技术采用聚焦离子束(focus ion beam;FIB)来撷取讯号。但是使用一次聚焦离子束技术能观察的讯号数目有限,并且并非所有讯号都可以经由聚焦离子束技术撷取。
因此,如何设计一个新的记忆体装置及其记忆体测试方法,以在不使用探针及聚焦离子束技术的情形下对记忆体装置进行测试,在其记忆体模组无法读取时找出原因,乃为此一业界亟待解决的问题。
发明内容
因此,本发明之一态样是在提供一种记忆体测试方法,应用于记忆体装置中,其中该记忆体装置包含记忆体控制器以及记忆体模组。记忆体测试方法包含下列步骤。使记忆体控制器根据资料写入内容对记忆体模组进行资料写入后,再自记忆体模组接收资料触发讯号以及资料讯号,以在突发(burst)模式下使取样单元根据资料触发讯号的正缘以及负缘取样资料讯号,俾进行资料读取产生资料读取内容;比较资料写入内容以及资料读取内容,当资料读取内容的资料数目与突发模式不符时,对资料触发致能讯号进行时序校准,俾对应于资料触发讯号的前置区段,其中资料触发致能讯号用以致能资料触发讯号的输入;再次进行资料读取,当资料读取内容的资料数目与突发模式不符且资料读取内容包含小于或等于一笔负缘资料读取内容时,由记忆体控制器触发取样单元取样资料讯号,俾于资料读取数目增加时,判断记忆体控制器实际上并未接收到资料触发讯号,且于资料读取数目并未增加时,检查记忆体控制器的设定;当资料读取内容的资料数目与突发模式不符且资料读取内容包含大于一笔负缘资料读取内容时,检查记忆体模组对突发模式的设定;当资料读取内容的资料数目与突发模式相符但内容不符时,检查记忆体控制器的传送模组的设定以及检查取样单元的运作,且当资料读取内容的资料数目与突发模式相符且内容与资料写入内容相符时,结束测试。
应用本发明的优点在于本发明的记忆体测试方法可藉由资料触发致能讯号的时序校准以及取样单元的触发,在记忆体模组无法顺利读取时,迅速找出原因,而不需要额外以探针进行讯号传输的测试。
附图说明
图1为本发明一实施例中,一种记忆体装置的方块图;
图2为本发明一实施例中,一种记忆体测试方法的流程图;
图3为本发明一实施例中,记忆体模组以及记忆体控制器间传递的讯号的波形图;以及
图4为本发明一实施例中,资料触发致能讯号以及资料触发讯号在进行时序校准时的波形图。
【符号说明】
1:记忆体装置
10:记忆体模组
12:记忆体控制器
120:传送模组
122:接收模组
124:处理模组
130:资料触发致能单元
131:资料触发闸控单元
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