[发明专利]记忆体测试方法有效
| 申请号: | 201710103791.4 | 申请日: | 2017-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN108511030B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 余俊锜;张志伟;黄胜国 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/48 | 分类号: | G11C29/48 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记忆体 测试 方法 | ||
1.一种记忆体测试方法,应用于一记忆体装置中,其中该记忆体装置包含一记忆体控制器以及一记忆体模组,该记忆体测试方法包含:
使该记忆体控制器根据一资料写入内容对该记忆体模组进行一资料写入后,再自该记忆体模组接收一资料触发讯号以及一资料讯号,以在一突发(burst)模式下使一取样单元根据该资料触发讯号的一正缘以及一负缘取样该资料讯号,俾进行一资料读取产生一资料读取内容,其中,根据该负缘每进行一次取样该资料讯号产生一笔的一负缘资料读取内容;
比较该资料写入内容以及该资料读取内容,当该资料读取内容的资料数目与该突发模式不符时,对一资料触发致能讯号进行一时序校准,俾对应于该资料触发讯号的一前置区段,其中该资料触发致能讯号用以致能该资料触发讯号的输入;
在该时序校准之后,再次进行该资料读取,当该资料读取内容的资料数目与该突发模式不符且该资料读取内容包含小于或等于一笔的负缘资料读取内容时,由该记忆体控制器触发该取样单元取样该资料讯号,俾于该资料读取数目增加时,判断该记忆体控制器实际上并未接收到该资料触发讯号,且于该资料读取数目并未增加时,检查该记忆体控制器的设定;
当再次进行该资料读取的该资料读取内容的资料数目与该突发模式不符且资料读取内容包含大于一笔的该负缘资料读取内容时,检查该记忆体模组对该突发模式的设定;
当再次进行该资料读取的该资料读取内容的资料数目与该突发模式相符但内容不符时,检查该记忆体控制器的一传送模组的设定以及检查该取样单元的运作,且当该资料读取内容的资料数目与该突发模式相符且内容与该资料写入内容相符时,结束测试。
2.根据权利要求1所述的记忆体测试方法,其中该记忆体测试方法更包含:在第一次进行该资料读取后,当该资料读取内容的该资料读取数目与该突发模式相符且内容与该资料写入内容不符时,
对该资料触发致能讯号进行该时序校准,俾对应于该资料触发讯号的该前置区段;
再次进行该资料读取,当该资料读取内容与该资料写入内容仍然不符时,检查该传送模组的设定以及检查该取样单元的运作,且当该资料读取内容与该资料写入内容相符时,结束测试。
3.根据权利要求1所述的记忆体测试方法,其中该记忆体控制器分别由一资料触发端口以及一资料端口自该记忆体模组接收该资料触发讯号以及该资料讯号。
4.根据权利要求3所述的记忆体测试方法,其中当该资料读取内容包含一笔的该负缘资料读取内容时,该记忆体控制器控制该资料触发端口为低态,以触发该取样单元,当该资料读取内容包含小于一笔的该负缘资料读取内容时,该记忆体控制器控制该资料触发端口为高态,以触发该取样单元。
5.根据权利要求4所述的记忆体测试方法,其中该记忆体控制器包含一终端电阻校准电路,电性耦接于该资料触发端口,以控制该资料触发端口为低态或为高态。
6.根据权利要求1所述的记忆体测试方法,更包含:
根据该资料触发讯号的该正缘取样该资料讯号,以储存一正缘资料读取内容于一正缘资料读取内容储存单元;以及
根据该资料触发讯号的该正缘取样该资料讯号,以储存该负缘资料读取内容于一负缘资料读取内容储存单元。
7.根据权利要求1所述的记忆体测试方法,其中该突发模式为四笔突发(burst4)模式或八笔突发(burst8)模式。
8.根据权利要求1所述的记忆体测试方法,其中该记忆体模组为一双倍资料率同步动态随机存取记忆体(doubledata rate synchronous dynamic random access memory;DDRSDRAM)。
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