[发明专利]一种降低电极箔漏电流的化成方法

权利要求书

1.一种降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，包括：

A、腐蚀箔置于90～100℃的纯水中处理；

B、将步骤A中纯水处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第一级化成；

C、将步骤B中第一级化成后的箔片浸渍于溶液中进行溶液处理；

D、将步骤C中溶液处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第二级化成；

E、将步骤D中第二级化成后的箔片浸渍于溶液中进行溶液处理；

F、将步骤E中溶液处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第三级化成；

G、将步骤F中第三级化成后的箔片箔浸渍于溶液中进行溶液处理；

H、将步骤G中溶液处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第四级化成；

I、将步骤H中第四级化成后的箔片，置于400～550℃高温处理1～5min；

J、将步骤I中高温处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第五级数化成；

K、将步骤J中第五级化成后的箔片置于1～5％的磷酸溶液中，控温至40～60℃，处理2～5min；

L、将步骤K中磷酸溶液处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中，控温至70～90℃进行第六级化成；

M、将步骤L中第六级化成后的箔片置于400～550℃高温处理1～5min；

N、将步骤M中高温处理后的箔片置于质量分数8％～15％的硼酸酸溶液中进行第七级化成；

O、将步骤N中第七级化成后的箔片置于磷酸二氢铵溶液中处理；

其中，所述步骤C、步骤E和步骤G中的溶液为络合试剂溶液，所述络合试剂溶液中溶质的质量分数为5％～20％；所述络合试剂溶液选自氨三乙酸、氨三乙酸三钠、8-羟基喹啉、三乙醇胺、乙二胺四乙酸、乙二铵四乙酸二钠中的一种或两种的水溶液；所述溶液处理的处理电压为20～100V。

2.根据权利要求1所述的降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，所述步骤A中纯水中处理时间为6～10min。

3.根据权利要求1所述的降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，所述第一级到第七级化成的化成电压范围各自为100～200V、300～400V、400～500V、500～600V、500～600V、500～600V和500～600V。

4.根据权利要求1所述的降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，所述第一级到第七级化成的化成时间均为5～15min。

5.根据权利要求1所述的降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，所述步骤C、步骤E和步骤G中的溶液处理时间为5～15min；处理温度为40～80℃。

6.根据权利要求1所述的降低电极箔漏电流的化成方法，其特征在于，所述步骤O中磷酸二氢铵溶液的质量分数为1％～5％；处理时间为2～5min。