[发明专利]具有对于同步整流控制器的定时控制的系统和方法

说明书

公开了具有对于同步整流控制器的定时控制的系统和方法。例如，系统控制器包括第一控制器端子和第二控制器端子。系统控制器被配置为：在第一控制器端子接收输入信号；至少部分地基于输入信号生成驱动信号，该驱动信号与导通时段和关断时段相关联，导通时段包括第一开始点和第一结束点；以及在第二控制器端子向开关输出驱动信号，以在导通时段期间闭合开关并在关断时段期间断开开关，从而影响与功率变换器的副边绕组相关联的电流。系统控制器进一步被配置为至少部分地基于输入信号检测与副边绕组相关联的退磁时段。

技术领域

本发明的某些实施例涉及集成电路。更具体地，本发明的一些实施例提供了具有对于同步整流控制器的定时控制的系统和方法。

背景技术

仅通过示例，本发明的一些实施例已经被应用于工作在连续导通模式下的功率变换器。但是将认识到，本发明具有更广泛的应用范围。

传统的副边侧同步整流(SR)控制器通常被用作功率变换系统的部分。这些传统的功率变换系统通常需要支持多种工作模式。这些工作模式包括非连续导通模式(DCM)、准谐振模式(QR)、以及连续导通模式 (CCM)。

图1是示出具有传统的副边侧同步整流(SR)控制器的传统的反激式功率变换系统的简化示意图。功率变换系统100(例如，功率变换器)包括电磁干扰(EMI)过滤器101、整流桥102、电容器103和107、电阻器 105和106、二极管109、原边绕组112、副边绕组114、原边侧脉宽调制 (PWM)控制器120(例如，芯片)、副边侧同步整流(SR)控制器130 (例如，芯片)、原边侧开关142(例如，晶体管)、副边侧开关144 (例如，晶体管)、输出电阻性负载152、以及输出电容性负载154。

原边侧PWM控制器120生成驱动信号121。驱动信号121被开关142 (例如，晶体管)接收，并被用于闭合或断开开关142(例如，导通或关断晶体管)，从而影响流过原边绕组112的电流141。另外，副边侧SR控制器130(例如，芯片)包括控制器端子138(例如，引脚)和控制器端子139(例如，引脚)。副边侧SR控制器130在控制器端子138接收来自晶体管144(例如，MOSFET晶体管)的漏极端子的信号131(例如， Vd)，生成驱动信号137(例如，Vg)，并且在控制器端子139向晶体管 144输出驱动信号137。驱动信号137被晶体管144的栅极端子接收并被用来导通或关断晶体管144，从而影响流过副边绕组114的电流146。

如图1中所示，副边侧SR控制器130包括漏极电压检测器132、逻辑控制器134、以及栅极驱动器136。漏极电压检测器132接收来自晶体管 144的漏极端子的信号131(例如，Vd)，检测接收到的信号131，并且生成检测信号133。检测信号133被逻辑控制器134接收，逻辑控制器 134响应于检测信号133生成控制信号135。栅极驱动器136接收控制信号 135，并向晶体管144的栅极端子输出驱动信号137(例如，Vg)。驱动信号137(例如，Vg)至少部分地基于检测到的信号131(例如，Vd)被生成，并且被用来导通或关断晶体管144。如果驱动信号137处于逻辑高电平，则晶体管144导通；如果驱动信号137处于逻辑低电平，则晶体管 144关断。

图2是示出功率变换系统100的副边侧同步整流控制器130的某些传统部件的简化示意图。漏极电压检测器132包括比较器210和220。比较器210接收信号131(例如，Vd)和阈值信号212(例如，Vth_on)并生成比较信号214。比较器220接收信号131(例如，Vd)和阈值信号222 (例如，Vth_off)并生成比较信号224。检测信号133包括比较信号214 和224。