[发明专利]一种用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯薄膜通过电泳法制备获得，所述电泳法制备获得超薄氧化石墨烯薄膜的步骤包括：

1)制备氧化石墨烯前驱体，其中，通过氧化石墨烯和双活性分子化合物进行溶剂热反应制备氧化石墨烯前驱体；

2)将所述石墨烯前驱体在水溶液中以不同浓度分散，获得氧化石墨烯胶体溶液；

3)将导电膜载体置于电泳槽的阳极上，并将配置好的所述氧化石墨烯胶体溶液加入所述电泳槽中，进行电泳过程；

4)电泳结束，取出导电膜载体并进行固化，在所述导电膜载体表面获得超薄氧化石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，以水溶液的总体积为基准计，所述氧化石墨烯前驱体的添加量为0.5-3mg/mL。

3.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的导电膜载体为多孔不锈钢管、多孔不锈钢膜片、多孔镍膜管、泡沫铜或泡沫镍。

4.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述电泳槽中的电极间距为2～50nm。

5.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述电泳槽为长方形电泳槽或者环形电泳槽。

6.根据权利要求5所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述环形电泳槽外壁为导电金属，所述导电金属为316不锈钢或者304不锈钢。

7.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)电泳过程中，阴阳级间电势差为2～30V，电泳时间为20～300s，电泳电流为3～50mA。

8.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，所述固化方式为热干燥固化、真空干燥固化或者自然空气干燥固化。

9.根据权利要求1所述的用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述固化温度为15～60℃，固化时间为1～24小时。