[发明专利]一种超结器件的制造方法及超结器件

权利要求书

1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括：

以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n-2层单晶硅层上形成与所述第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记；

根据所述第一光刻对位标记和所述第二光刻对位标记，对每层单晶硅层进行光刻，以留出至少两个离子注入窗口；

通过所述离子注入窗口对每层单晶硅层进行第二类型离子注入，以在n层单晶硅层中形成至少两个离子注入区；

将所述n层单晶硅层经高温推阱，使所述离子注入区形成第二类型柱区，且相邻两个所述第二类型柱区之间的单晶硅层为第一类型柱区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，包括：

外延生长n层单晶硅层时，控制氢气流量在20～30slm，并控制单晶硅生长温度在1100～1200℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记，包括：

当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的一层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的一层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记，包括：

按照从下到上的顺序，每三层单晶硅层分为一组，除n层单晶硅层的最上层单晶硅层外，在每组的最上层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超结器件的结深大于30um，所述n层单晶硅层中的最下层单晶硅层的厚度大于10um，其他单晶硅层的厚度为8～9um。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，第一类型为N型，第二类型为P型。

7.一种超结器件，其特征在于，包括：

第一类型衬底，其中，所述第一类型衬底上设有第一光刻对位标记；

n层第一类型的单晶硅层，外延生长于所述第一类型衬底上；n层单晶硅层中包括至少两个第二类型柱区，且相邻两个所述第二类型柱区之间的单晶硅层为第一类型柱区；

其中，n层单晶硅层以1～2um/min的单晶硅生长速度外延生长，最多n-2层单晶硅层上形成有与所述第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成有所述第二光刻对位标记。

8.根据权利要求7所述的超结器件，其特征在于，外延生长n层单晶硅层的工艺中，氢气流量为20～30slm，温度为1100～1200℃。

9.根据权利要求7所述的超结器件，其特征在于，当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，任意相邻三层单晶硅层中的一层单晶硅层上形成有所述第二光刻对位标记。

10.根据权利要求9所述的超结器件，其特征在于，按照从下到上的顺序，每三层单晶硅层分为一组，除n层单晶硅层的最上层单晶硅层外，每组的最上层单晶硅层上形成有所述第二光刻对位标记。

11.根据权利要求7所述的超结器件，其特征在于，所述超结器件的结深大于30um，所述n层单晶硅层中的最下层单晶硅层的厚度大于10um，其他单晶硅层的厚度为8～9um。

12.根据权利要求7-11任一项所述的超结器件，其特征在于，第一类型为N型，第二类型为P型。